韩国布局X射线光刻技术，以应对ASML的垄断

随着全球半导体技术竞争的加剧，以及与国家战略挂钩的保护主义趋势日益增强，韩国业界正强调关键设备本土化的必要性。由于芯片制造商完全依赖荷兰ASML的极紫外(EUV)光刻机，行业人士表示，韩国必须投资仍处于早期发展阶段的X射线光刻技术，以确保长期竞争力并减少对单一供应商的依赖。

在韩国国会议员会馆近期举办的“X射线光刻设备核心技术”研讨会上，韩国机械材料研究院(KIMM)研究员Jae-Jong Lee表示，ASML已成为一道难以逾越的壁垒。他指出，使用更短波长在下一代EUV领域竞争对韩国而言并非可行之路，业界应另辟蹊径，通过投资0.1至1nm波长的X射线光刻技术来寻求突破。

在分辨率和图案化方面的优势

与当前EUV系统使用的13.5nm波长相比，X射线波长更短，分辨率更高，能够实现更精细的图案化工艺。它们在三维结构图案化方面也具有巨大潜力，允许形成具有高深宽比的微结构。此外，X射线具有很强的方向性，散射造成的模糊较少，使得在大面积晶圆上保持均匀的图案成为可能。

在X射线光刻技术落地之前，仍有重大的技术障碍需要克服。X射线不可见且难以控制，其对材料的高穿透性意味着传统镜面的反射率几乎为零，这使得光学聚焦极具挑战性。X射线还可能影响底层结构，导致层间干扰和图案扭曲。

行业消息人士称，X射线光源和系统本身都面临巨大挑战，量产级设备更难实现。先进的工件台必须达到0.1至0.5nm的控制精度，同时掩模和材料方面也需要取得突破。如果核心光学器件和工件台继续依赖外部采购，真正的本土化将依然困难。

全球在X射线光刻胶领域的布局

在X射线光刻胶方面，以英特尔和IBM为首的美国公司正在与研究机构及大学合作以提升性能。在欧洲，ASML与来自荷兰、德国和法国的公司共同发挥着核心作用。日本方面，东京电子(Tokyo Electron)和JSR等公司积极参与，推进光刻胶的开发并研究其在高温高压条件下的性能。

韩国行业人士表示，该国目前在光学材料和加工技术方面的基础相对薄弱。特别是EUV光刻胶难以在国内生产，且缺乏掩模薄膜(pellicle)的测试设备。系统集成能力也落后于主要竞争对手。

Lee以台积电(2330.TW)为例，指出这家中国台湾芯片制造商能够在内部测试掩模薄膜。韩国此前曾请求ASML进行此类测试，但对方报价高达150亿韩元（约合1027万美元），这突显了建立国内生态系统的重要性。

尽管面临挑战，韩国在操作和应用X射线技术方面积累了一定经验，包括大型同步辐射加速器的使用。该国在提高反射率的多层膜技术方面也具备扎实的能力，近年来还涌现出制造高精度X射线反射镜及相关组件的中小企业。这些被视为开发X射线光刻技术的重要基础。

除技术外，研讨会的与会者表示，还需要政府支持以建立完整的生态系统和人才梯队。

过去政策选择的教训

韩国此前曾启动一项为期五年的EUV计划，专注于开发掩模薄膜和光刻胶，并取得了多项商业化成果。这些项目帮助培养了200到300名关键专家，行业人士认为这一人才基础必须扩展到X射线光刻领域，以确保整体研发的连续性。

最终，能否利用下一代技术扭转局势，将取决于政府和行业的共同决心。

韩国电子机械融合技术研究院院长Dong-Young Jang指出了韩国二十年前在半导体封装技术上的尝试。当时，工程师们多次访问台积电的新竹工厂，并收到了继续联合开发的提议，但相关预算后来被完全削减，而台积电则坚持下来并成长为全球领导者。

Jang表示，韩国在EUV设备方面的努力也面临类似问题。当2017年提出EUV研究和部署计划时，外界曾质疑韩国是否有资格研发EUV。如果当时没有放弃这些努力，该国即便达不到ASML的水平，也不会处于目前的被动局面。Jang强调，必须立即开展X射线光刻技术的工作，以避免重蹈覆辙。