英伟达再次提高HBM4规格，三星正在调整，SK海力士有点慌

据业内人士透露，英伟达已于去年第四季度再次上调HBM4供应标准，并传达给三星电子和SK海力士。

作为今年AI内存市场的转折点，英伟达大幅提高HBM4的规格，使得三星电子和SK海力士必须再次修改下一代HBM以满足严苛要求。专家表示，从HBM4开始，逻辑晶圆（Logic Die，即基底晶圆）的重要性正日益凸显，由于这一结构性差异，拥有内部技术的三星电子可能比依赖台积电的SK海力士更具优势。

业内专家普遍认为，目前台积电产能无法满足由英伟达和AI半导体热潮推动的晶圆代工需求，这使得其不仅难以确保HBM逻辑晶圆的产能，也难以进行制程转型投资。这对于依赖台积电进行逻辑晶圆生产和制程的SK海力士来说，无疑是一个弱点。

而三星电子则正通过与旗下晶圆代工部门合作，修改逻辑晶圆设计并加速开发，重点关注热控制和性能提升。

HBM 是一种将多个 DRAM 晶圆垂直堆叠的结构。在 HBM4 中，逻辑晶圆是附着在该堆叠最底部的芯片，承担着仅靠DRAM晶圆难以完成的功能。逻辑晶圆是HBM的 “大脑”，负责处理电力和信号的流量控制，数据传输的时序和路径以及电源管理都取决于逻辑晶圆的性能。

HBM4 最初的标准是数据传输速度为 8-10 Gb/s，但随着英伟达将其改为 11 Gb/s 或更高，逻辑晶圆的重要性日益增长。在如此高的速度范围内，HBM 产生的热量和功率波动可能直接导致数据处理错误，因此控制这些因素的逻辑晶圆规格也必须得到改进。这意味着HBM性能竞赛已从 DRAM 扩展到了逻辑晶圆的设计能力。

一位三星电子的知情人士表示：“提高数据传输速度可以通过部分修改逻辑晶圆的设计和制程来实现，因此我们认为这并不困难。” 他补充道：“达到英伟达建议的每引脚 13 Gbps 水平是可能的，但热控制是关键问题。不过这也不会花太久时间。” 此前，三星电子 DS 部门负责人Jun Young-hyun在新年致辞中也表达了对 HBM4 竞争优势的信心。

而SK海力士或许会在这一过程中面临困难。韩国一所私立大学的教授表示：“随着HBM一代又一代的发展，逻辑晶圆方面开始出现技术差距，而SK海力士在很大程度上依赖台积电提供该技术。从已经难以满足需求的台积电的角度来看，与先进制程相比，逻辑晶圆的设备投资和产线扩充被排在了较低的优先级。”

在通用 DRAM 制程转型方面，与三星电子相比，SK海力士也处于不利地位。特别是，SK海力士 30% 以上的 DRAM 产能位于中国无锡工厂，该工厂与其在韩国的核心基地利川工厂之间的技术差距可能扩大，这引发了担忧。无锡工厂面临每年必须获得美国 “经验证最终用户”（VEU）地位的风险，设备进口也必须符合美国政府设定的标准。若出口许可程序变成了例行公事，那么设备和零部件采购将被推迟，无疑会阻碍中国工厂生产设施向先进制程转型。

韩国评级机构在最近的一份报告中表示：“从长远来看，如果中国工厂的半导体设备引进限制持续存在，那么中国工厂的DRAM和NAND闪存都可能面临‘陈旧化’，那么产能下降或许将成为运营业绩的下行因素。”