创新高！2025年韩国半导体出口额达1735亿美元

据韩国科学技术信息通信部最新数据显示，2025年韩国ICT领域出口额达2642.9亿美元，同比增长12.4%，该领域出口增长主要由半导体领域主导，半导体出口额占比达65.6%。得益于高附加值存储需求扩大及DRAM等通用半导体价格持续上涨，韩国半导体全年出口额达1734.8亿美元，同比增长22.1%，连续两年保持两位数增长，创历史新高。

随着人工智能模型规模越来越大、功能越来越强大、能耗越来越高，人工智能服务器内部的内存也从幕后功臣跃升为核心驱动力。在这样的背景下，SK海力士凭借其在HBM（人脑内存）领域的领先地位脱颖而出，成为全球领先企业，在产量、技术以及与英伟达等人工智能硬件巨头的合作方面均超越了竞争对手。

预计到2030年，SK海力士将占据高带宽存储器（HBM）市场的大部分份额，巩固韩国作为人工智能燃料不可或缺的供应商的地位。随着HBM4即将问世，HBM5也可能在本十年末投入研发，这一领域不仅可能成为韩国利润最高的半导体细分市场，而且可能成为整个半导体行业利润最高的领域之一。

近日，SK海力士表示计划投资19万亿韩元（约合129亿美元）新建一座先进封装工厂，以应对人工智能技术蓬勃发展所引发的高带宽内存（HBM）需求激增。根据声明，新工厂将主要聚焦于先进封装技术，这是提升芯片性能与能效的关键环节。该设施将位于韩国清州市，依托公司现有的生产布局进行扩建。SK海力士表示，建设计划于今年4月启动，预计在2027年底完工投产，届时将大幅提升其将多个存储芯片集成至单一高密度单元的能力。

三星在早期HBM技术发展中略显疲软，但如今正迅速重振旗鼓。其发展路线图包括垂直堆叠式HBM、先进的散热封装技术，以及或许最为引人注目的收购FläktGroup，这表明三星的目标不仅是掌控芯片本身，更是掌控芯片运行的整个环境。通过将先进的散热系统集成到人工智能数据中心基础设施中，三星不仅在迎头赶上，更有可能重新定义人工智能内存领域的规则。

2025年11月，三星宣布，未来5年将向韩国本土投资450万亿韩元（约合2.19万亿人民币），用于涵盖存储芯片扩产、数据中心建设、数据中心风冷设施产线建设等多个项目，并将新增6万个就业岗位。三星表示，为应对AI时代对存储芯片逐步扩大的中长期需求，决定推进三星平泽工厂第五条生产线建设，预计于2028年投产。三星官网介绍，平泽为三星先进工艺芯片制造基地。

展望未来，预计到2030 年，这两家公司将推动韩国在DRAM 内存市场的份额超过 70%。虽然NAND 闪存仍然更具竞争力，但预计韩国企业也将在此领域小幅增长市场份额，尤其是在专为超大规模人工智能和云计算量身定制的高速企业级 SSD 领域。研究机构TrendForce上周发布报告称，预计本季度包括HBM在内的动态随机存取存储器（DRAM）平均价格将较2025年第四季度上涨50%至55%。DRAM通常指大多数计算机中用于临时数据存储的主要易失性存储器。虽然更高的内存价格给电子产品制造商带来了成本挑战，但也显著提振了存储芯片生产商的盈利能力。例如，三星电子上周表示，预计其去年12月季度的营业利润将较上年同期增长近两倍。

此外，韩国科技信息通信部还公布了一项计划，将拨款2351亿韩元（约合1.59亿美元）用于半导体、显示器和电池行业的研究项目，以确保先进工业领域的核心技术，从而确保国家的长期增长。该部门表示，计划向确保三大产业尖端技术的27个项目提供资金。其中1870亿韩元将用于开发下一代芯片封装技术和用于软件定义汽车（sdv）的先进汽车芯片等18个半导体相关项目。另外，还为3个显示器项目和6个电池项目分别投入了139亿韩元和341亿韩元。韩国科技信息通信部表示，计划在2026年1月底公布进一步的细节，包括申请时间表和程序。