DRAM缺口巨大，供应量只能满足一半需求

据预测，三星电子今年的DRAM产量将提升至接近800万片晶圆的水平（以投片量为基准）。这一数字较去年的760 万片，增长约 5%，生产重心将集中在平泽工厂，季度平均产量也将首次突破200万片。

不过，由于在向10纳米级第六代DRAM（1c）工艺过渡期间出现暂时性产能损失，实际产量恐难达到预期增幅。鉴于该产量水平远不足以弥补一直困扰市场的全球内存短缺问题，业界预计HBM及DRAM价格的上涨趋势将持续。

市场调研机构Omdia数据显示，三星电子今年的DRAM晶圆产量预计为793万片，同比增长约5%。SK海力士预计也将把DRAM产量从去年的597万片提升至今年的648万片左右，增幅约为8%。随着今年下半年清州M15X 工厂的产能释放，其增幅预计将略高于三星电子。美光预计今年的年产量约为360万片，与去年持平。

业界预计，在三星电子平泽园区的新工厂P4投产之前，全球DRAM供应短缺局面将难以缓解。即便加快推进P4项目，三星电子内部及外部人士均认为其投产时间很可能也要等到2027年以后。而SK海力士也需等到龙仁半导体集群全面投产，才能显著提升产能。

因此，尽管三星电子、SK海力士和美光这三大DRAM巨头今年的产能都会高于去年，但与市场需求之间仍存在巨大缺口。据KB证券数据，客户的DRAM需求满足率处于约60%的低位，服务器DRAM更是低于50%。换言之，目前的供应量仅能满足一半的需求。

市场调研机构TrendForce预计，今年第一季度一般型DRAM合约价季增55-60%，NAND Flash季增33-38%。

第一季PC DRAM尽管面临整机出货下修，以及可能的降规导致存储器需求成长放缓，但DRAM原厂同时收紧对PC OEM和模组厂的供应，造成部分PC OEM需以更高价向模组厂采购，预计将垫高原厂模组行情，大幅推升PC DRAM价格。

而AI推理带动的Server建置持续驱动美系CSP（云端服务业者）采购，业者2025年底起持续向原厂提前拉货(pull in)或追加Server DRAM需求，更因过往成交纪录、需求展望较佳，获得原厂位元供给的年增幅较大。在原厂库存水位见底的情况下，出货规模成长仅能依赖晶圆厂提升产出，加剧供不应求态势，预期第一季原厂将积极调涨Server DRAM价格，季增逾60%。

手机品牌即便在淡季对存储器需求不强，然因Mobile DRAM供给紧缩情况难在短期内改善，且未来数季合约价可能再升高，品牌于第一季维持较强拉货力道。预计LPDDR4X、LPDDR5X皆呈现供不应求、资源分配不均情况，价格走强。