CES2026上HBM4的最新进展

CES2026：高带宽内存是现代人工智能系统（尤其是运行大规模训练模型）的关键组件，也是2026年国际消费电子展（CES 2026）的焦点。美光、三星和SK海力士这三家内存厂商纷纷展示了他们的HBM4芯片。此次展会旨在宣告HBM4器件的成熟，该器件有望解决“内存墙”问题，从而突破人工智能扩展的瓶颈。

HBM4有望解决内存瓶颈问题——即数据处理速度超过内存向处理器传输数据能力所造成的瓶颈——它对高带宽内存技术进行了迄今为止最重大的架构革新。HBM4专为下一代AI加速器和数据中心工作负载而设计，旨在显著提升带宽、效率和系统级定制能力。

HBM4 是第六代高带宽内存技术，它不再只是简单地提升速度，而是彻底重新设计了内存接口；它的性能几乎是早期 HBM3 设备的三倍，而 HBM3 设备正是推动第一波生成式人工智能热潮的动力。

HBM4是半导体技术的一次飞跃，正在改写人工智能基础设施的规则。（来源：SK海力士）

HBM4 代表了内存架构的又一次根本性变革，它将逻辑芯片集成到内存堆栈中，并将内存堆栈转变为一个协处理器，可以在数据到达主 AI 处理器之前对其进行处理。这标志着纯计算时代的终结，同时也将内存从被动存储设备转变为主动组件。

推动HBM4热潮的主要因素是英伟达的Rubin GPU平台，该平台目前已投入生产，并定位为早期HBM4器件的首批独家用户。据报道，美光、三星和SK海力士已开始向英伟达交付HBM4样品，并计划于2026年开始量产HBM4芯片。

SK海力士亮相2026年国际消费电子展

在2026年国际消费电子展（CES）上，目前HBM领域的领导者SK海力士（占据全球超过50%的市场份额）发布了一款容量为48GB的16层HBM4器件。通过将DRAM堆叠至16层，该器件显著提升了容量和速度，实现了超过2TB/s的带宽。SK海力士计划于2026年第三季度开始量产这些HBM4器件。

向16层HBM4堆叠结构的过渡带来了巨大的工程挑战。（来源：SK海力士）

SK海力士利用其专有的回流熔化成型底部填充（MR-MUF）技术，将单个DRAM晶圆减薄至惊人的30微米，以满足JEDEC严格的775微米高度限制。MR-MUF技术能够加热并互连HBM产品中所有垂直堆叠的芯片，从而提高效率。

SK海力士16层HBM4器件的另一大亮点是，这家韩国存储巨头与台积电合作，将12纳米逻辑芯片集成到HBM4芯片的基础芯片中，作为HBM4堆栈的控制逻辑或“大脑”。这种从内存节点到逻辑节点的转变，有效地将HBM4转变为一种可定制的内存解决方案，能够针对特定的AI工作负载进行优化。

三星回来了

与SK海力士和台积电合作生产HBM4逻辑芯片不同，三星在其4纳米工艺节点上自行生产逻辑芯片，并在同一厂区内完成3D封装。这使其成为唯一一家能够提供从芯片到最终封装全流程解决方案的HBM4供应商。

此外，与采用传统MR-MUF技术制造16层HBM4的SK海力士不同，三星正加速推进混合键合技术。该工艺无需使用传统的微凸块，即可将铜焊盘直接熔合到铜上。它显著降低了堆叠高度，提高了散热性能，被业界视为应对下一代制造挑战的长期解决方案。

然而，三星在HBM4领域最显著的突破在于采用了1c DRAM工艺技术，据三星方面透露，该技术显著提升了能效。这对于数据中心运营商而言至关重要，因为他们一直苦于应对功耗超过1000瓦的GPU所带来的散热难题。据TrendForce报道，三星已开始量产其1c DRAM，良率据称已接近80%的量产目标。

在HBM技术落后于SK海力士之后，三星正试图通过提升其DRAM和逻辑芯片技术来使其HBM4产品脱颖而出。（来源：三星）

虽然三星已交付英伟达 Rubin AI 加速器的样品，并且很可能比 SK 海力士和美光更早获得认证，但它已经通过了博通针对谷歌最新一代 TPU 的系统级封装 (SiP) 测试。因此，在过去几年落后于 SK 海力士之后，三星正在从 HBM3e 的挫折中恢复过来。

HBM4内存战争

作为HBM三巨头之一的美光科技，也已满足英伟达Rubin AI加速器的HBM4规格要求，并已交付最终客户样品。这家总部位于爱达荷州博伊西的内存芯片制造商一直在积极扩大其12层、36GB HBM器件（采用2048位接口）的产能。该公司计划到2026年底，HBM4晶圆的产能达到15000片。

与此同时，业内报道称，英伟达在2025年第三季度修订了其Rubin GPU的HBM4显存规格，将单引脚速度要求提升至11Gbps以上。因此，美光、三星和SK海力士重新提交了HBM4样品，并持续改进其设计以满足英伟达更为严格的要求。

尽管如此，HBM4有望成为一项基础性技术，它将决定人工智能加速器训练下一代智能体人工智能模型的能力。难怪美光、三星和SK海力士这三家HBM厂商正将大量晶圆产能从传统的DDR5和移动内存转移到HBM领域。

进入 2026 年，存储器行业正密切关注美光、三星和 SK 海力士的 HBM4 器件的早期生产良率——2026 年很可能成为这些存储芯片制造商的又一个里程碑式的年份。