美光宣布将于2026年1月16日在纽约州奥农多加县为其晶圆厂举行正式开工仪式。经过严格的环境审查和必要的许可审批,美光现已准备就绪,将开始该基地的场地准备和建设工作。
作为纽约州历史上最大规模的私人投资项目,这一集群总投资1000亿美元,美光这个基地将成为全球最先进的存储器制造中心,满足对AI系统不断增长的需求。该基地将建设多达四座晶圆厂,建成后将成为美国最大的半导体制造设施。
美光董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra将与其他高管一道,同美国政府官员、国会代表、纽约州及地方政府官员,以及杰出的商界领袖和社区成员共同庆祝这一重要里程碑。开工仪式结束后,将在雪城大学(Syracuse University)举行庆祝活动,届时高管和官员将发表致辞。
为了在HBM4竞赛中占得优势,美光正在计划大规模扩产。近日,知情人士透露,美光计划在今年将HBM4的产能提升至每月 1.5 万片晶圆的规模。据估算,美光目前的HBM总产能约为每月 5.5 万片晶圆,1.5 万片的产能规模占到其总产能的 30%,这意味着美光将把相当大的精力集中于HBM4的出货工作。
一位熟知美光情况的行业相关人士表示:“美光为了能在初期供货阶段就快速响应市场需求,正在扩充产能,相关设备投资已经启动。”
值得一提的是,美光多个正在建设的新工厂项目将取得进展,例如新加坡先进封装工厂计划于今年年底落成,HBM4 生产的核心环节封装工序将在此进行。此外,日本广岛工厂最快将于明年下半年投产,美光将把该工厂打造为HBM4等下一代产品的前沿生产基地。
此外,美光还刚刚发布了业界首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC SSD——3610 NVMe™ SSD。3610 SSD 基于美光 G9 NAND 打造,顺序读取速率高达 11,000 MB/s,顺序写入速率高达 9,300 MB/s。 产品采用紧凑型单面 M.2 2230 外形规格,全球率先采用 4TB 超大容量,是超薄笔记本电脑和 AI 设备的理想之选。该产品将业界前沿 PCIe 5.0 的超高速率与 QLC 闪存的成本优势相结合,在不牺牲电池续航的前提下,实现更卓越的响应性能。
在能效方面,3610 SSD采用无 DRAM 架构,支持主机内存缓冲(HMB)和 DEVSLP(设备睡眠模式)低功耗状态,与 PCIe 4.0 TLC 相比,每瓦性能提升 43%,显著延长电池续航并降低物料清单(BOM)成本。可在三秒内加载 200 亿参数 AI 模型,助力主流客户端设备为用户提供实时 AI 洞察和无缝 AI 体验。
在PCMark 10测试中,与 PCIe 4.0 QLC SSD 相比,3610 SSD 的测试得分提升高达 30%,带宽提升高达 28%,是各类行业工作负载的理想之选。通过主机端的散热管理技术,使 OEM 能够精确控制温度阈值,从而确保超薄无风扇设计设备持续稳定输出性能。搭载最新的高级安全特性,如数据对象交换(DOE)和设备标识符组合引擎(DICE),为用户数据提供更有力的保护。
美光称,3610 SSD产品重新定义了主流 PC 和超薄笔记本电脑的性能、效率和容量。
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