SK海力士M15X厂，明年5月开始运营

SK海力士是半导体行业首家开始量产第六代高带宽存储器（HBM）HBM4的公司，计划发起大规模供应攻势，瞄准明年的人工智能（AI）半导体市场。

据业内人士透露，SK海力士将于明年5月完成M15X晶圆厂首个洁净室的建设并开始试生产。M15X是SK海力士投资超过20万亿韩元的主要生产基地。该工厂计划生产目前的主要产品HBM3E，以及将于明年初开始量产的HBM4。据悉，该工厂还将引进用于生产第七代产品HBM4E的10纳米级第六代DRAM的生产线。

M15X工厂将配备两间洁净室，其中一间将于明年5月竣工。洁净室建成后，工厂将开始试生产，预计大约6个月后即可投入量产。如果一切按计划进行，M15X工厂的首间洁净室将于明年11月左右开始量产。此外，SK海力士计划在明年年底前完成第二间洁净室的建设。M15X工厂预计将于2027年中期满负荷运转，届时基于12英寸晶圆的DRAM月产量预计约为5万片。

SK海力士正在加速提高DRAM产量，因为这是一个克服全球人工智能半导体供应短缺、提高销售额和市场主导地位的机会。

目前，包括美国、中国、日本和欧洲在内的全球各国和企业正投入数千亿韩元，力图在人工智能产业中占据领先地位。然而，人工智能需要图形处理器（GPU）来处理海量数据，以及超高性能、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）和HBM，以确保其推理和计算能力。

然而，用于制造高性能人工智能芯片的HBM面临着供不应求的局面。目前，只有三家公司具备生产用于高性能人工智能芯片的HBM3E（第五代）和HBM4的能力：SK海力士、三星电子和美国的美光科技。在这种市场格局下，提高HBM产量的公司必然会获得更大的市场主导地位。SK海力士计划通过以下策略实现双赢：首先，将于明年2月率先在全球范围内量产下一代产品HBM4；随后，提高目前市场需求最高的HBM3E的产量。

SK海力士此次增产计划也包含进一步拉开与竞争对手差距的策略。SK海力士的DRAM月产能为50万片晶圆，即使加上M15X芯片，也只能达到55万片。相比之下，三星电子的月产能高达65万片晶圆。

HBM是一种高性能存储半导体，由DRAM堆叠而成。三星电子凭借其庞大的DRAM产能，正在恢复HBM的竞争力，导致市场格局波动。尤其值得注意的是，市场分析显示，三星电子（月产能17万片）的HBM产能已超过SK海力士（月产能16万片），因此三星电子正加速提升技术能力，以期量产HBM4。SK海力士则计划通过先进技术和提升HBM3E的产量，抢占先机，量产HBM4，从而摆脱三星电子的追赶。

SK海力士计划短期内通过M15X晶圆厂加入产能争夺战，中长期则着眼于龙仁半导体产业集群。龙仁产业集群一期晶圆厂总投资120万亿韩元，预计于2027年5月竣工。一期晶圆厂共包含6间洁净室，将陆续建成投产，直至2030年。一期晶圆厂满负荷运转后，每月将新增约35万片晶圆产能，使SK海力士的总产能显著提升至每月90万片。

金融投资行业预测，由于SK海力士率先实现HBM4量产并提高HBM3E的产量，其市场份额明年将超过50%。三星电子预计将保持在30%左右，而美光预计将保持在20%左右。尤其值得一提的是，随着英伟达下一代AI加速器Rubin将于明年第四季度发布，SK海力士的HBM4供应量极有可能大幅增长。SK海力士计划于明年2月开始HBM4量产，并于5月启动M15X的生产，从而巩固其在HBM领域的领先地位。一位业内人士表示：“HBM市场现已进入第二轮，稳定的供应能力已成为超越技术竞争的核心竞争力。”他预测：“明年2月HBM4的量产和5月M15X的投产将是SK海力士巩固其‘第一’地位的关键时刻。”

与此同时，SK海力士有望凭借其在高价值高分子材料市场的领先地位，继续创造公司历史上最佳业绩。今年第三季度营业利润达11.383万亿韩元，预计第四季度利润将达到15万亿韩元。预计明年全年营业利润将高达93万亿韩元。