黄仁勋催单AI芯片，台积电开启“疯狂建厂”模式

科技媒体 Benzinga发布博文，报道称英伟达首席执行官黄仁勋于 11 月访问台积电，提出了对更先进 AI 芯片的迫切需求，而这一举动直接引爆了台积电的新一轮建厂热潮。

消息源称台积电为了确保明年能有更多新产能上线，已紧急敦促上游设备供应商缩短交货时间。这一“催单”效应直接导致供应链进入“战时状态”，预计相关设备厂商的高强度出货将至少持续到 2026 年第二季度。

消息称台积电已经展开大规模的建厂行动，位于新竹和高雄的工厂正集中火力建设 2 纳米生产线，南科厂区也在同步扩增 2 纳米产能。针对现有 3nm 制程，台积电南科 18 厂持续扩产；而更为先进的 1.4 纳米厂也已在中科动工。

除了制造晶圆，台积电还将扩张重点放在了“先进封装”技术上，特别是 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）产能。在 AI 芯片领域，单纯提升芯片制程已不足以满足需求，必须通过先进封装将处理器与高带宽内存（HBM）紧密集成。因此，台积电正在大举投资建设先进封装设施，试图消除这一制约 AI 芯片出货量的关键瓶颈。

台积电在美国的业务也异常活跃目其位于亚利桑那州的首座晶圆厂已投入量产，另外两座工厂也处于开发阶段。基于如此激进的全球扩张计划，行业专家预测，台积电明年的资本支出（CapEx）将达到惊人的 480 亿至 500 亿美元（现汇率约合 3372.07 亿至 3512.57 亿元人民币）。

这笔巨资不仅将支撑台积电的产能扩张，更将让整个半导体设备供应链在 2026 年前都维持满负荷运转的繁荣景象。

成熟节点价格上涨

新一轮晶圆代工价格上涨浪潮正从先进工艺蔓延至成熟工艺。据报道，中国领先的晶圆代工厂中芯国际（SMIC）已上调部分生产线的价格；而chinastarmarket.cn网站则补充指出，台积电（TSMC）旗下的先锋国际半导体（VIS）也已通知客户类似的涨价，涨幅约为10%。

Chinastarmarket.cn 还提供了有关中芯国际涨价的更多细节，指出这家晶圆代工巨头已向下游客户发出涨价通知，涨价主要集中在其 8 英寸 BCD（双极型 CMOS-DMOS）工艺平台上，平均涨幅约为 10%。

下一轮代工厂价格上涨即将到来

Chinastarmarket.cn 将当前这轮晶圆代工价格上涨归因于多个行业因素，并指出其他主要晶圆代工厂也可能效仿。报告称，人工智能基础设施投资的激增是关键原因之一，因为人工智能服务器及相关系统需要大量的电源管理芯片，而这些芯片又消耗了 BCD 芯片产能的很大一部分。

该报告进一步解释说，BCD 是一种单片工艺，它将电源、模拟和数字电路集成在单个芯片上，从而降低功耗、提高性能、降低封装成本并提高可靠性。

据Chinastarmarket.cn报道，目前中国拥有BCD平台的晶圆代工厂包括中芯国际、华宏半导体、联诺华科技和华润微电子。

值得注意的是，除了已确认的 8 英寸 BCD 生产线价格上涨之外，报告引用的业内人士预计，高压 CMOS (HV-CMOS) 将是下一个可能的目标，因为目前 BCD 的需求强劲，价格已经高于 HV，因此 HV 的类似涨价几乎不可避免。

报告还指出，供应侧的限制也是一个主要因素。报告指出，台积电正在缩减其8英寸芯片的产能，转而专注于先进节点，这导致成熟工艺的供应链出现缺口。此外，报告还指出，黄金和铜等金属价格持续高企进一步推高了成本，给晶圆代工价格带来了上涨压力。

晶圆代工厂准备应对高级节点价格上涨

随着年末临近，晶圆代工厂正积极与客户协商价格调整。据《商业时报》 11月报道，台积电自9月起已通知客户，其5nm以下制程（包括2nm、3nm、4nm和5nm）的芯片将连续第四年上调价格，新制程将于2026年1月生效，平均涨幅约为3%至5%。报道还指出，台积电的3nm制程芯片每年价格涨幅可能为个位数，但长期累计涨幅将达到两位数。

另一方面，《商业时报》也披露，中国台湾第二大晶圆代工厂联电已要求供应商从 2026 年开始至少减价 15%，据报道，减价幅度涵盖多个供应领域，包括化学品、特种气体、基板材料、耗材和维护服务。