继闪迪之后，美光盯上了力积电

据报道，在全球内存供需失衡持续扩大的背景下，继美国储存大厂闪迪主动与力积电洽谈合作、评估导入产能后，近期供应链透露，另一家内存厂商美光也已低调接触力积电，锁定其已完工却尚未满载的铜锣新厂。这意味着在当前内存大缺货的背景下，具备产能的晶圆厂成为国际大厂竞逐的稀缺资源。

业界分析，力积电铜锣新厂最大月产能可达四至五万片，但目前仅建置约八千多片设备，换算装机率仅约两成，仍保有相当充裕的扩充弹性，这样已盖好、却未满载产能，在当前存储供给极度吃紧的环境下，对急需位元产出的国际大厂而言，吸引力大幅提升，也让铜锣新厂一跃成为兵家必争之地。

此前闪迪欲与力积电合作，业界认为主要是基于力积电具备的三大优势，首先是力积电前身为DRAM大厂力晶，之后转型代工生产DRAM与NAND晶片，有丰厚的存储制造底蕴。其次是力积电铜锣新厂是目前业界几乎唯一还有闲置空间，可立即投产的晶圆厂，能加快正式量产时间，赶上这波市场热潮。 第三是力积电与力成、南茂等后段封测厂合作多年，可协助客户导入从制造到封测一条龙服务。

针对此消息，力积电回应，公司和多间大厂都在洽谈合作。至于合作模式，供应链消息透露，目前双方讨论的合作模式，主要聚焦三种可能方向，首先是纯代工模式，第二则是技转加设备迁入模式，最后是分销制，可视为1+2模式的延伸版本。最大差异在于双方谈妥条件后，力积电可保留一定比重的晶圆自行销售，在内存价格狂飙的环境下，能直接认列产品毛利，被视为对力积电最有利的方案。

日前，美光科技公布了2026财年第一季度（截至11月27日的三个月）营收和利润，该季度营收136亿美元，环比增长20%，好于市场预期（129亿美元），本季度收入增长主要来自于DRAM和NAND业务的双重带动。

在财报电话会上，美光董事长兼CEO桑贾伊·梅赫罗特拉直言：“人工智能驱动的需求已然到来，并且正在加速增长。美光科技公司正凭借其历史上最佳的竞争地位抓住这些机遇……我们正处于美光科技公司历史上最令人振奋的时期，而最美好的还在后面。”美光公司2026年（日历年）全年高带宽内存（HBM）的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；并且，预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年将达到1000亿美元（2025年为350亿美元），较此前指引提前两年。

不过需求是有的，但产能却成了个问题。美光位于爱达荷州的两座新晶圆厂预计将于2027年年中投产；纽约的新厂也计划于2026年初破土动工，但真正形成产能要等到2030年。

美光表示，供应紧张问题已持续多个季度，技术节点转型是 2026 财年供应增长的主要来源。HBM 需求进一步加剧了压力，行业整体短缺。我们正加速设备下单和工厂建设，并投资于现有及新增产能(如爱达荷州和纽约工厂)。目前供需缺口巨大，仅能满足关键客户约 50% 至三分之二的需求，因此正全力增加供应。