三星电子、SK海力士HBM4，送样英伟达

据报道，三星电子与SK海力士目前已实质向英伟达供应HBM4。两家公司均已进入最终协调阶段，通过付费方式向英伟达下一代AI加速器 “Rubin” 提供HBM4最终样品。尽管质量验证的最后一道关卡仍未通过，但业界预计，具体供货量与定价细节将在明年第一季度内确定。

值得一提的是，付费提供最终样品并非简单的原型级免费样品交付，而是指以收费形式提供样品的阶段。当产品性能接近客户企业要求的水平时，才会进入付费样品供应阶段。因此，这一动作也被解读为即将正式签约的信号。

尽管三星电子与SK海力士尚未通过最终质量验证，但实际上已跨越了进入供应链的 “第九道难关”。此前，业界曾认为在HBM4供应竞争中，SK海力士的进度领先于三星电子；但截至目前，两家公司在付费样品供应与最终验证环节已处于同一水平。

此前业界预计SK海力士将于今年内开始向英伟达批量供应HBM4，该公司在第三季度财报电话会议中透露，已搭建完成HBM4量产体系。据悉，当时SK海力士的产品已满足英伟达的所有要求，目前正处于最终微调阶段。有消息称，英伟达已将SK海力士的HBM4搭载到Rubin中，进入验证设备正常运行的最终测试阶段。待Rubin进入全面量产阶段后，SK海力士将立即启动批量供货。

关于明年向英伟达供应HBM4的总数量及合约单价大致框架，双方的谈判也已基本完成。对于英伟达明年提出的HBM4需求量，SK海力士已同意提供其产能范围内的最大供应量。一位业内人士透露：“SK海力士已与英伟达完成价格与数量谈判，目前正针对性能优化相关的微调事项进行配合。至于市场上流传的（产品）需重新设计的传言并不属实”。而SK海力士在第三季度财报中预计，将于今年第四季度启动HBM4出货，并在明年全面扩大销量。

再看三星电子，与英伟达关于明年HBM4供应的谈判也已接近尾声，预计其供货量将仅次于SK海力士，位居第二。在HBM3E时期，三星电子向英伟达的供货占比极低，而此次凭借HBM4，三星电子正努力重振市场地位。目前，三星电子已向英伟达提供付费HBM4样品，据悉英伟达正将其搭载到Rubin中进行质量验证。

为恢复在HBM4市场的竞争力，三星为HBM4搭配了较为激进的工艺组合，以 1c 纳米级的 DRAM 芯片搭配 4 纳米的逻辑裸片。其中逻辑裸片相当于 HBM 堆叠结构的 “大脑”，负责控制上方多层 DRAM 芯片，采用 4 纳米先进制程有助于改善 HBM4 的能效与性能表现。当前，三星还正推进京畿道平泽园区的HBM4产能扩建，以应对市场需求。

美光则将落后于三星电子与SK海力士，维持第三供应商的地位。这一局面源于美光在HBM4研发中遭遇技术问题（包括需对产品进行部分重新设计），导致与英伟达的谈判进度滞后。尽管美光已提供符合英伟达HBM4产品标准的最终样品，但有报道称，其产品性能仍不及竞争对手。

在逻辑芯片制造上，美光并未像三星、SK 海力士那样采用外部晶圆代工厂的先进工艺，而是选择用自家的 DRAM 工艺自主制造。这种做法和行业主流模式不同，虽通过设计优化、信号质量提升等系统层面的调整实现了较高性能，但也被分析认为在性能提升上存在局限性，还可能因需集成复杂电路而增加产品出现瑕疵的概率，对产品良率产生不利影响。