1亿IOPS！SK海力士与英伟达携手开发下一代AI SSD

2027年对于SK海力士的下一代NAND闪存计划而言，将是关键的一年。据ZDNet报道，该公司正与英伟达（NVIDIA）合作，加速下一代AI NAND闪存的研发进程，目标是在2027年之前实现存储性能较现有企业级固态硬盘（SSD）提升30倍。

报道指出，作为高带宽内存（HBM）领域的领军企业，SK海力士正与英伟达联合开发先进的AI NAND闪存，首批样品预计于2026年底推出。同时，该公司已启动第二代产品的筹备工作，目标是2027年底实现量产。

此外，SK海力士与闪迪（SanDisk）合作开发的高带宽闪存（HBF，即“AI-N B”）备受业界关注，该产品计划在2027年样品到位后启动评估工作。

AI-NAND路线图详解：聚焦AI-N P与AI-N B两大核心方向

ZDNet报道称，尽管人工智能行业分为数据中心（需海量处理能力）和终端人工智能（强调高效、低功耗运行）两大细分领域，但SK海力士专注于为各细分市场量身打造高价值的人工智能内存产品。

报道进一步披露，SK海力士的AI-N计划通过三大方向布局下一代NAND：AI-N P（超高性能SSD）、AI-N B（高带宽闪存）以及AI-N D（高容量/低成本SSD）。

其中，AI-N P旨在高效处理大规模AI推理场景中的海量数据输入/输出（I/O），最大限度消除AI计算与存储之间的性能瓶颈。为实现这一目标，SK海力士对NAND闪存及控制器架构进行了重新设计，目前正与英伟达联合开展概念验证（PoC）测试。

报道援引SK海力士副总裁金天成的表述称，公司设定了极具挑战性的性能目标：预计2026年底，支持2500万IOPS（每秒输入/输出操作次数）的PCIe Gen 6接口样品将率先面市；到2027年底，计划量产IOPS达到1亿的产品。

，当前市场上的企业级SSD，其IOPS约为200万至300万，远低于动态随机存取存储器（DRAM）模块数十亿至100亿的IOPS水平。ZDNet补充道，预计明年推出的AI-N P产品性能将达到现有SSD的8至10倍，而第二代产品性能甚至可能突破30倍。

另一方面，报道重点介绍了AI-N B（即HBF）。该产品通过堆叠NAND闪存而非DRAM的技术路径，大幅提升内存带宽，性能远超传统SSD。金天成透露，SK海力士正与闪迪推进AI-N B的标准化工作，预计阿尔法（alpha）版本将于2026年1月下旬发布；公司还计划在2027年获取样品后，开展全面的评估与测试工作。

相对于成本高昂的HBM来说，HBF 是一种基于 NAND 闪存的内存技术，内置于类似 HBM 的封装中，可以带来容量的显著提升和成本的降低，并且数据断电后仍可保留。这标志着业界首次在将闪存和类似 DRAM 的带宽融合到单一堆栈中方面迈出了坚实的一步，有望彻底改变 AI 模型大规模访问和处理数据的方式。与完全依赖 DRAM 的传统 HBM 不同，HBF 用 NAND 闪存替代了部分内存堆栈，以牺牲原始延迟为代价，能够以与DRAM型HBM相当的成本和带宽，提供高达DRAM型HBM约8到16倍的容量。并且，与需要恒定功率来保存数据的 DRAM 不同，NAND 是非易失性的，因此能够以更低的能耗实现持久存储。从应用端来看，与 HMB 不同，HBF 主要针对的是 AI 推理工作负载，而不是在大型数据中心、小型企业和边缘应用程序中进行训练。

一个技术顾问委员会正在指导开放HBF规范的开发，尽管这是基于专有的 Sandisk BiCS（比特成本可扩展）工艺技术和专有的 CBA 晶圆键合，并在过去一年中根据包括竞争对手铠侠在内的领先人工智能行业参与者的意见开发。自从铠侠从西部数据分拆出来以来，Sandisk 一直在与铠侠进行合并讨论。

Sandisk 的目标是在 2026 年下半年交付其 HBF 闪存的第一批样品，首款集成该技术的 AI 推理硬件预计将于 2027 年初推出。这表明它正在使用其 BiCS9 技术。该公司已经在对其 BiCS9 提供样品，并已今年2月份的 ISSCC 2025 会议上展示。

与目前大规模生产的第8代3D闪存相比，NAND接口速度提高了33%，达到了HBF性能所需的4.8Gb/s接口速度。目前出货的HBM3e芯片堆叠的接口速度为每引脚9.2Gbit/s。

Sandisk 表示，BiCS9 技术还可以提高数据输入/输出的能效，将输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%。通过将存储器层数增加到 332 层并优化平面图以提高平面密度，该技术将位密度提高了 59%。