在拓荆科技今日举行的2025年第三季度业绩说明会上,该公司董事长吕光泉表示,存储价格上升反映出存储芯片市场仍有较大的需求量,从中长期来看,这可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能。随着存储芯片制程的推进及结构趋于复杂化,对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求越来越高,同时,驱动了高带宽存储器(HBM)向三维集成等方向演进,3D NAND FlASH芯片堆叠层数不断提高,这些技术发展趋势都将大幅拉动薄膜设备的需求量。“下游客户的持续扩产,预计将进一步扩大相关产品的需求量。”
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