迈为股份高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM工艺

迈为股份在投资者互动平台回答提问时表示，目前公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM（高带宽存储器HBM）工艺。公司称，相关设备能够覆盖部分先进存储制程需求，为客户在高性能存储领域的扩产与技术迭代提供装备支持。

根据公司披露，迈为股份的刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造等领域，在多类晶圆制造产线上实现批量导入和稳定运行。此次特别提及可服务于DRAM及HBM工艺的高选择比刻蚀和混合键合设备，进一步体现公司在半导体前道关键工艺装备上的产品覆盖能力。