聚焦DRAM盈利，暂缓HBM扩张，三星调整存储业务战略

据报道，三星电子正对其存储业务采取新战略，以聚焦更高利润，公司希望利用 DRAM 价格上涨的机遇，同时缩减高带宽内存（HBM）的相关投入。未来几年，三星电子可能扩大通用型 DRAM 产能，以提升盈利能力。

三星电子转向 DRAM 业务，追求更高盈利能力这一举措出台之际，DDR5、LPDDR5X 和 GDDR7 等 DRAM 产品价格正不断上涨。据悉，三星电子 32GB DDR5 内存模块的合约价已暴涨 60%（从 9 月的 149 美元升至 11 月的 239 美元）。因此，三星电子认为聚焦这类产品是提升利润的重要机遇。

有报道称，三星电子计划扩大其第五代（1b 节点，10 纳米级）DRAM 的量产规模，包括将部分老旧制程产线（如 1z 节点）转用于先进 DRAM 生产，并考虑将部分原用于 NAND 闪存的产能调配至 DRAM 领域，以最大化利用现有资源。

与此同时，三星电子的 HBM 业务因订单疲软仍处于亏损状态。尽管公司希望通过 HBM4 芯片在该领域站稳脚跟，但这款下一代产品目前的良率让人对其盈利能力存疑。此外，三星电子尚未与英伟达敲定 HBM4 的供应协议。因此，三星电子在扩大 DRAM 产能的同时，将维持明年的 HBM 生产目标。

三星电子一位高管表示，“明年我们的首要任务是不惜一切代价实现利润最大化。我们在技术实力上落后于SK海力士，而依靠HBM快速赶超的竞争力尚未形成。”

作为新战略的一部分，存储部门的领导层变动也在推进中。Han Jin-man被视为存储业务部门下一任负责人的热门人选。他曾在 2020 年担任存储业务部门战略营销办公室副总裁，以出色的价格谈判能力著称，有望助力三星电子在火爆的 DRAM 市场中实现最大化盈利。

2026年底，1c DRAM月产能将增至20万片

三星电子计划截至明年年底，将1c DRAM的生产能力扩大至月产20万片规模。

三星电子的具体规划为，在今年年底前实现月产 6 万片，在明年第二季度前再新增 8 万片，在明年第四季度追加 6 万片，最终达成月产20万片的目标。这一进度以设备安装调试完成的 “就绪状态” 为标准，核心目标是在各节点均具备即时量产能力。

知情人士透露，“截至明年年底，针对1c DRAM的持续产能投资将陆续推进，这是通过提前锁定供应能力，抢占下一代DRAM市场的尝试。”

三星电子为1c DRAM规划月产20万片的产能，这一规模实属罕见。目前三星整体DRAM月产能为 65 万至 70 万片，20 万片相当于整体产能的三分之一左右，且大幅超过 2022 年半导体繁荣期13万片的DRAM产能投资规模。据悉，三星电子将通过现有DRAM生产线的工艺转换，以及平泽第4工厂（P4）新生产线的追加投资，达成20万片的产能目标。

业内认为，这显示出了三星电子不仅对1c DRAM技术充满信心，而且当前DRAM需求强劲。受AI热潮影响，当前DRAM市场正处于供不应求的状态。不仅HBM，普通DRAM也出现了供应短缺的情况。在DRAM需求爆发式增长、甚至出现 “期货预售”。

加大资本投资，平泽P5工厂重启

三星电子近期重启了耗资 60 万亿韩元以上的京畿道平泽工厂第二园区 5 号线（P5）项目建设。P5 工厂预计将成为同时生产下一代高带宽内存（HBM）和通用 DRAM 的混合型工厂，计划 2028 年启动运营，届时将根据市场情况考虑是否搭建晶圆代工生产线，也存在提前投产的可能性。

从中长期规划来看，三星电子一直致力于将平泽工厂第一园区（P1~P4）与第二园区（P5~P6）整合，打造总面积达 87 万坪的半导体生产基地。若 P5 和 P6 按计划建成，平泽将成为三星电子全球最大的半导体生产据点。目前 P4 工厂的 4 条生产线中，3 条已投入运营或即将投产，未来将负责第六代10纳米级1c DRAM和 HBM4的量产工作。

此外，三星电子还计划投资 360 万亿韩元，在龙仁半导体国家产业园区集群建设 6 座晶圆厂，预计 2031 年前全部完工。首期目标是明年年底前开工建设 1 号晶圆厂，2030 年实现投产。待平泽工厂生产线扩建与龙仁半导体国家产业园区集群工程全部完工后，三星电子将有12座投入运营的晶圆厂。