立昂微22.62亿元扩产，加码12英寸重掺衬底片

11月18日，立昂微发布对外投资公告，控股子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司与衢州智造新城管理委员会签署《投资协议书》，约定金瑞泓微电子在现有厂房内建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”， 本项目计划总投资22.62亿元，其中固定资产投资21.96亿元。本项目建设周期约60个月， 将采取分阶段建设、分阶段投入、分阶段产出的模式进行，本项目预计每年投入金额约3.5 亿元，资金投入进度将结合公司资金状况、市场供需状况进行动态调节。

公告披露，该项目将利用金瑞泓微电子现有厂房进行局部改造，利用已掌握的成熟的12英寸硅片成套工艺和技术，通过购置单晶炉、抛光机等一批国内外先进设备，形成年产180万片12英寸重掺衬底片的生产能力，满足功率器件衬底材料及集成电路市场需求。

金瑞泓微电子已掌握12英寸硅片成套工艺核心技术。本项目将采用金瑞泓自主开发的重掺杂直拉硅单晶的制备技术、微量掺锗直拉硅单晶技术和低缺陷掺氮直拉硅单晶技术等最重要的生产工艺。金瑞泓作为专注于硅材料生产制造的企业，依靠产业链上下游一体化等优势， 展成为我国硅材料生产的龙头企业，占有相当比例的市场份额，已具备12英寸硅片的大规模生产技术基础。

本项目可与现有“年产180万片12英寸半导体硅外延片项目”形成上下游配套，制备出的12英寸重掺系列外延片，满足高端功率器件需求，应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器、以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等。

值得注意的是，本次出资方式为现金出资，资金来源为公司自有资金及自筹资金，不属于募集资金。

立昂微提示，本项目建设周期较长，在项目实施过程中可能面临宏观经济、行业政策变化等不确定因素的影响，实施完成后可能面临因市场竞争加剧、行业景气度不及预期等多方面不确定因素带来 的业绩波动加剧的风险，其未来的经营情况存在一定的不确定性。

当前新能源汽车、AI服务器、储能等新兴产业飞速发展，高端功率器件市场急需重掺砷、 重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格的硅外延片产品，但相关产业的发展受到宏观经济、政 策支持、市场需求等因素的影响，可能会阶段性不达预期。针对前述风险，金瑞泓微电子将充分发挥12英寸重掺硅片技术优势和市场领先优势，不断开拓客户群体，分阶段扩大产能，持续提升市场份额，保持市场竞争力。

未来随着上述新兴产业市场的扩大，不排除有更多的竞争者加入，可能会对产品的价格产生不利影响。金瑞泓作为专注于硅材料生产制造的企业，将持续依靠产业链上下游一体化等优势，不断加大研发投入，开发新产品，提高产品附加值；同时加强运营管理，降低运营成本， 保障产品质量，提升产品效益。