兆易创新：利基型DRAM Q4持续涨价，明年全年维持相对较高的价格水平

最近，兆易创新公布投资者活动关系记录表，其中表示，本次利基型DRAM的供应短缺，主要原因还是主流应用（数据中心和AI应用等）对存储等芯片的大量需求，挤占了利基型DRAM的产能。预计涨价趋势会持续到今年第四季度，并在明年全年维持相对较高的价格水平。

此前，兆易创新发布2025年第三季度报告，第三季度实现营业收入26.81亿元，同比增长31.40%；归属于上市公司股东的净利润5.08亿元，同比增长61.13%。前三季度实现营业收入68.32亿元，同比增长20.92%；归属于上市公司股东的净利润10.83亿元，同比增长30.18%。业绩增长主要得益于DRAM行业供给格局持续改善，形成“价量齐升”的良好态势。

对于三季度的业绩，兆易创新进行了进一步介绍。兆易创新表示，本年第三季度，受益于旺季备货的拉动，以及存储周期的进一步改善，公司业绩表现亮眼。Q3单季度收入同比增长31.4%至26.8亿元，环比增长19.6%；单季度归母净利润同比增长61.1%至5.08亿元，环比增长49%。得益于存储产品涨价的拉动，第三季度单季毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%。

兆易创新表示，2024年第三季度结束时我们预计2025年中利基型DRAM价格有望出现反转，源于三大厂商退出利基市场，行业出现明显的供给紧缩。今年一季度末利基存储价格回暖，时间节点早于我们之前预期约一个季度。目前，我们对存储周期的看法相较今年上半年更加乐观，源于需求端进一步出现积极变化，海外科技巨头推动AI基建，算力增长对存储的需求量进一步显著提升，且科技巨头所宣布的产能需求相较于主要存储厂商实际计划增加的量还要大。在此背景下，我们预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将处于供应相对紧张的环境，价格有望在今年第四季度进一步上行，并在明年维持相对较好的水平。

2025年公司利基型DRAM业务营收有望超预期达成本年初计划同比增长50%的目标，本年下半年利基型DRAM收入有明显增长，有望超越MCU业务成为公司第二大产品线。今年亮眼的业绩背后，除了受益于行业周期改善以外，更得益于公司全面的料号布局和客户关系拓展与维护：

（1）产品料号方面，公司今年新量产的DDR48Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR44Gb基本相当。明年我们将实现自研LPDDR4系列产品的量产，并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。

（2）客户关系方面，在本轮供应紧张周期中，公司不单纯追求短期毛利率的提升，也积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系，包括：TV客户、工业类（如电力）客户、AI相关应用（如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用）等。

展望未来5年，对于国内30~40亿美金的利基DRAM市场，我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。

定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看，我们坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用，在AI大发展的时代，定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域，公司凭借自身的研发实力和先发优势，有望占据重要地位。

兆易创新表示，Flash同样受益于存储周期的改善，源于在AI基建中，对NANDFlash有源源不断的需求。NANDFlash主要用于存储温数据及冷数据，存储数据量巨大，同时擦写次数相对有限，对NANDFlash的需求量在不断加大。海外大厂都在将重心从2D NAND向3D NAND迁移，从而带来2D NAND相对明显的短缺。在此背景下，公司的SLCNAND产品开始涨价。

NOR Flash已经处于相对成熟发展阶段，行业的增长主要来源于代码量的提升，当前端侧AI的发展进一步推动NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨询机构已经把行业CAGR从5~7%上调至8%。NOR Flash也处于为温和涨价周期中，源于产能端的紧缺，公司顺应市场需求变化对价格做出适当调整，9月开始陆续落地。本年初我们预计NOR Flash收入同比增长10%，目前看有信心实现目标。

长期来看，公司将继续推动NOR Flash市场份额的提升，我们优势和努力的方向包括：

（1）Fabless的商业模式使我们在增加产能方面可以相对灵活。

（2）继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升。

（3）坚持全球化布局，包括海外供应链的布局。

今年上半年，MCU业绩表现亮眼，受益于国补和提前备货，消费在去年同期高基数的基础上进一步较快增长；网通也同比高增；工业弱复苏，收入同比实现高个位数增长。进入第三季度，随着消费类补贴走向深水区，相关需求边际有所走弱，工业依然延续弱复苏的节奏，因此MCU收入环比持平略增，依然保持了较好的水平。

今年，公司将产品料号从通用型向专用型扩展，重点耕耘工控、光伏、白电等领域，相应规划并研发了一些与海外厂商对标的料号，尽可能优化性能、做出差异化。

组织架构方面，公司于今年7月成立了AutoBU，有效推动了工作效率的提升。目前公司汽车MCU产品研发按照既定roadmap正常推进：

（1）2024年公司推出第二代车规MCUA7系列，目前已经完成M7单核产品的研发，并锁定了一些优质Tier-1，跑通软硬件系统并取得了一些下游项目定点。预计明年将推出一对锁步核产品。

（2）第三代产品是用于底盘的多核产品，预计明年进行测试，期待2028年之后量产。

模拟、传感业务等方面，公司与赛芯的整合顺利推进。赛芯在维持其原有市场的基础上，在移动电源市场的大功率应用上亦取得了增长。AI眼镜方面，已在雷鸟、Rokid及字节等项目上实现量产，整体综合运营情况平稳，有望达成全年业绩承诺目标。

兆易创新对于2026年经营展望表示，2026年，我们将继续坚持以市占率为中心的目标，把握存储行业周期上行的机遇；同时积极拥抱AI，推动定制化存储解决方案逐步落地。Flash业务方面，我们将努力把握端侧AI发展带来的机遇，同时积极提升公司在工业、汽车、海外市场的份额，预计收入将延续稳定增长的趋势，且增速相对快于行业。利基型DRAM业务方面，我们预计明年行业仍将处于供应短缺状态，因此价格有望维持在相对较高的水平。产能方面，我们预计同比稳中有升，公司在产能合作方明年会有产线转换的过程。MCU方面，我们将继续强化在汽车、工业、白电等领域的布局，拓展产品线，预计MCU能够延续良好的增长趋势，收入增速有望与今年相当。定制化存储解决方案明年也将迎来终端项目的陆续落地，在汽车座舱、AIPC、机器人等领域均有望看到芯片量产，从而给公司贡献一定体量的收入。

对于利基型DRAM涨价的持续性，兆易创新表示，利基型DRAM今年下半年以来处于持续缺货的状态，终端客户如果原物料配备不齐，其产品备货和生产都有一定影响。我们会积极加快产品研发和新产品推出的速度，和SOC友商做好产品的认证导入。同时这也是我们加强和行业SOC友商形成长期稳定合作关系的好机会，我们将携手SOC友商共同服务好下游客户。本次利基型DRAM的供应短缺，主要原因还是主流应用（数据中心和AI应用等）对存储等芯片的大量需求，挤占了利基型DRAM的产能。行业头部厂商不同程度的停产或减产利基型DRAM产品，导致利基型DRAM产能缺口较大，我们预计涨价趋势会持续到今年第四季度，并在明年全年维持相对较高的价格水平。

对于定制化存储解决方案在云端推理的应用前景方面，兆易创新表示，我们对于该技术方案坚定看好，并作为行业的最早参与者积极进行技术和市场推广。公司定制化存储解决方案非常适用于推理应用场景，并聚焦在端侧推理应用，目前不同的下游厂商在推出基于公司定制化存储解决方案的产品。过去几年处于技术推广和早期项目研发的过程，从2026年开始可以陆续看到该解决方案在不同领域的应用。基于我们与客户签署的保密协议等原因，对具体的应用场景和客户信息负有保密义务，不方便对具体的客户及其产品进行评论。

对于DRAM、NDND以及NOR Flash的价格展望，兆易创新表示，利基型DRAM率先受到主流应用的产能挤压，今年第二季度行业头部大厂已经明确宣布停产或者减产利基型DRAM产品，价格出现快速上涨。目前相关厂商停止报价等情况，可以参考市场相关信息做判断。2026年我们预计利基型DRAM整体仍处于供应相对偏紧的状态，但是价格是否继续上行还有待观察。存储芯片不同的产品线存在差异：利基型DRAM价格进入今年第四季度继续小幅上涨后，已经处于比较高的价位，后续主流型DRAM价格可能保持上涨的趋势，从而缩小和利基型DRAM的价格倒挂。

3D NAND的供应短缺和价格上涨比DRAM晚了约2-3个季度，3D NAND对2D NAND的产能挤占效应也已经显现，2D NAND（包括MLC/SLC）的供应也可能出现短缺，并导致价格持续上涨。

NOR Flash产品工艺制程、产能以及价格与主流存储产品的关联相对较弱，整体处于供需相对平衡的状态。但随着AI应用的推广，代码总量在不断上升，长期看对NOR Flash产品总的容量需求维持长期稳定增长的状态，预期NOR Flash会处于供需相对偏紧的状态，产品价格维持温和上涨。

对于未来存储产品的产能规划，兆易创新表示，存储产品方面，目前境内主要的晶圆厂产能均处于持续满产并且供应紧张的状态，包括公司利基型DRAM的产能合作方，产能弹性均较小。在DRAM产品上，公司明年在产能合作方还涉及产线转换的过程，预计产能稳中有升。具体情况还要看明年产线转换的节奏，以及公司DRAM新产品的推出及客户导入的节奏。在新产品上，公司LPDDR4预计在明年上半年推出产品，并在下半年实现量产。基于新产线的DDR4产品预计在明年下半年推出样品。NOR Flash产品的产能弹性不足。如果公司产品能取得更大的市占率，会与晶圆厂争取更多的产能支持。在目前产能紧张的情况下，明年产品成本会有上升，公司会与核心供应商积极协商，争取得到产能和价格上的支持。兆易创新表示，公司DRAM产品中，今年DDR4产品的收入占比超过一半，前三季度收入占比持续上升。新产品DDR48Gb从今年第一季度开始量产，本年前两个季度营收占比较平稳，大约占整体DRAM收入的小双位数比例，从第三季度开始占比明显增加。

对于关联方的采购金额达成情况与成本端变化的节奏方面，兆易创新表示，过往公司会在年底根据对下一年的预测，以及与关联方的协商沟通，对下一年的预计采购金额通过公告的形式进行披露。今年截至第三季度采购金额仍在预计金额之内。展望明年，随着公司DRAM业务的持续增长，预计采购金额会有相应的成比例上升。成本与市场行情相关。目前利基型DRAM供应短缺，价格快速上涨，供应端成本也在快速上涨。一方面采购成本上升到销售成本上升有时间滞后性，另一方面随着产品市场价格上涨，从晶圆供应端到下游生产端，整个链条上的厂商整体会受益，所以总体来说公司DRAM业务将从市场上行趋势中获益。

对于今年第四季度以及明年上半年公司利基型DRAM业务的毛利率的展望方面，兆易创新表示，本年初公司利基型DRAM业务整体仅有低个位数的毛利率，第二季度达到了双位数的毛利率，第三季度随着价格持续上行及成本上涨的滞后效应，公司DRAM业务毛利率提升至较好水平。第四季度成本上涨会逐渐传导到经营端，但DRAM业务毛利率可以维持健康水平。

对于NOR Flash后续趋势看涨价是否会体现到一些小容量的产品上，兆易创新表示，目前中小容量NOR Flash产品也出现涨价趋势。NOR Flash整体产能是联动的，其中大容量产品单颗价值高，对产能的消耗量大，在供应出现紧缺的时候，大容量产品会较早出现涨价，并逐渐传导到中小容量产品。我们预计NOR Flash明年全年仍会维持价格整体温和上涨的节奏。

对于目前车规产品的进展情况，兆易创新表示，公司在2025年7月成立了汽车BU，以打通从产品定义、研发及市场推广的全链条。公司在去年推出首颗单核ASIL-BA7系列车规MCU产品,今年实现了在头部Tier1客户以及下游OEM客户的多个项目定点。明年还会推出一对锁步核ASIL-D的产品，以及面向底盘、域控等应用的多核产品。后续会继续规划更多面向汽车各方面（包括域控、BMS、底盘动力等）不同的产品线，陆续会在2026和2027年推出。目前车规MCU营收较小，汽车MCU产品研发周期，及在客户进行导入和定点过程比较长，实现营收规模增长需要一定的时间。公司车规NOR Flash业务进展顺利，近几年一直保持高速的增长，2025年仍持续保持高速增长的态势。随着国产汽车的电动化、智能化、网联化，以及智能主控芯片在新车型的广泛应用，公司与之搭配的NOR Flash销量快速增长，市占率稳步提升。目前我们在国内汽车NOR Flash市场，市占率处于行业头部水平，未来我们希望持续保持高速增长的态势，保持国内车载NOR Flash市场领先的同时，尽快在全球汽车市场打开局面。

对于数字能源方面MCU的增量机会，兆易创新表示，AI服务器电源领域是公司MCU重点投入的领域之一，目前已做了很多布局，包括与氮化镓、碳化硅的友商合作。该领域内既用MCU又用功率器件，公司与友商的合作可以深入挖掘双方自身器件的潜力，并一起推出更加有竞争力的解决方案，带动双方的产品更快速地导入客户。相信随着服务器电源的需求增长，该领域是公司MCU业务未来的增长点之一。

对于未来模拟产品重点发展的应用领域，兆易创新表示，公司在模拟业务内生成长及外延并购并举。外延并购上，苏州赛芯公司业务发展良好，在按业绩承诺目标稳步推进。除了原有产品以外，在充电宝、AI眼镜等方面也进展不错，导入了多个知名品牌的产品。在内生成长方面，公司模拟产品线发展迅速，今年Q3取得同比数倍增长，环比双位数增长的好成绩。

公司模拟业务的目标是成为行业头部供应商，主要经营方向包括通用电源、专用电源，以及电机驱动、锂电池管理等，相关产品研发、市场开拓在有序展开。得益于我们广泛的客户群体和市场渠道布局，以及多产品线的布局，能够实现交叉销售，为客户提供整体、系统的解决方案。我们的模拟业务有很大的机会取得长足的发展。

对于后续DDR5产品的研发计划，以及对于后续偏利基产品市场往DDR5产品切换趋势的判断方面，兆易创新表示，因为DDR4及LPDDR4供应非常紧缺，因此有SOC厂商会配合其下游客户的需求去适配LPDDR5的产品。部分SOC产品兼容LPDDR4和LPDDR5接口，其下游客户会根据供应的情况开展终端产品的设计变更工作；也有部分厂商启动SOC设计迭代，兼容LPDDR5接口，为下游客户提供更多可选方案。DRAM行业从SDR到DDR，DDR2/LPDDR2一直发展到DDR5/LPDDR5，行业的发展趋势是不可逆的。现在DDR4和LPDDR4的极度紧缺，会加速从D4到D5转换的进程。但是从应用端看，DDR4和LPDDR4的需求还是会长期存在，且供应端减少DDR4/LPDDR4的速度远大于需求端转换的速度，因此我们预计接下来两年时间内，利基DRAM市场仍将处于供不应求的状态。面向未来，我们也规划了LPDDR5的产品，明年将启动立项和研发。