Lam Research:有信心将3D NAND蚀刻层数提升至1,000层

来源:半导纵横发布时间:2025-10-27 09:52
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继将低温蚀刻技术应用于400层3D NAND闪存量产后,Lam Research对实现1000层NAND表现出强大信心。

Lam Research 预测,随着大容量 NAND 技术进步的步伐加快,为确保产品可靠性,对其低温蚀刻技术“Cryo”的需求将不断增长。随着智能手机、个人电脑和汽车等边缘 AI 的普及,数据中心以外的领域对大容量 NAND 的需求也在不断增长。

为了生产制造可靠的多层NAND,需要高度精确的通道孔蚀刻,Cryo 3.0凭借其卓越的性能瞄准了这一市场。Cryo 3.0在蚀刻深度10μm时,将最大和最小通道直径差异控制在9nm以内,从而使轮廓偏差率低于0.1%。此外,它还将每片晶圆的能耗降低40%,二氧化碳排放量降低90%以上。

Lam Research的低温蚀刻技术Cryo 是业内首次量产的低温蚀刻技术,目前已在 8,000 个 NAND 蚀刻室中约 1,500 个中使用,并且其数量正在迅速增加。

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