台积电A14工厂，即将动工！

台积电中科A14（1.4nm）先进制程建厂工程动了！台积电10月17日正式向中科管理局送件申报开工，中科新厂预计2028年下半年量产，初期投资金额预估将高达490亿美元（约新台币1.5万亿元），创造8000~1万人工作机会。

中科管理局表示，中科二期园区扩建计划有关滞洪池等水保工程已经完工，10月20日将点交给台积电。台积电已完成厂房基桩工程招标，预计11月5日开工，后续建厂发包作业正如火如荼展开。

台积电先前在技术论坛释出生产据点规划时，表示1.4nm制程主要生产据点为台中F25厂，拟规划设立四座厂房，首座厂将赶在2027年底前完成风险性试产，2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5000亿元新台币。

相关供应链表示，台积电在美国亚利桑那新厂导入先进制程约为2nm至1.6nm，1.4nm制程优先在中国台湾量产，中科四座厂房量产后是全球最大的AI／HPC芯片生产基地。

据了解，台积电原规划中科第一期二座为1.4nm制程，后续第二期二座厂可能推进至A10（1nm）制程，但市场已经开始关注1.4nm技术，中科四座厂传出拟全数规划1.4nm制程，1nm制程可望移往南科沙仑园区。

台南市长黄伟哲宣布成功争取国发会通过约531公顷的“南科沙仑生态科学园区”，预计给未来半导体1nm制程使用。

近期，软银与英伟达先后入股英特尔，帮助英特尔推进先进芯片制程，三星也积极推进1.4nm制程量产时间。业界分析，台积电因此加速1.4nm制程布局，以确保市场独占性。

根据此前Ray Wang透露的消息，台积电确认下一代A14工艺的研发进程顺利，其关键的良率表现已经提前达到内部预期，相较 2nm 实现重大技术升级。具体来看，A14 工艺相较于即将推出的 N2（2 纳米）工艺，实现了性能、功耗和密度的全面跃升。

在功耗保持不变的情况下，A14 工艺的运行速度将提升 15%；在速度相同时，功耗可降低高达 30%；其晶体管密度也将提高 20%，使芯片能够在更小的空间内容纳更多功能单元。这些显著的性能提升得益于底层技术的革新。台积电透露，A14 工艺将全面采用第二代 GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并结合全新的 NanoFlex Pro 标准单元架构。

其中，GAAFET 技术能够更有效地控制电流，减少漏电，从而在提升性能的同时控制功耗。而新的架构则进一步优化了芯片设计，实现了更高的集成度，共同驱动了 A14 工艺的突破。苹果、英伟达、AMD 等客户已计划采用 A14 工艺，其对终端产品的技术赋能值得期待。

此外，在台积电1.5万亿新台币的投资中，很大一部分可能将用于在2027年购买30台EUV光刻机。不过知情人士透露，台积电将不会采购阿斯麦的任何High-NA EUV设备，这很可能是因为这些机器价格昂贵。每台机器高达4亿美元，这对台积电而言是一项昂贵的投入。

台积电此前曾表示，其现有的硬件设备能够大规模生产1.4纳米晶圆。张晓强曾透露，就A14工艺而言，我们可以在不使用High-NA光刻机的情况下实现，且表现良好。因此，在现阶段我们的技术团队会继续寻找方法来延长当前极紫外光刻机（EUV）的使用寿命，专注于改进现有工艺。