瑞萨实现首个在印度完成的3nm汽车芯片设计

日本芯片制造商瑞萨电子宣布成功在印度设计中心完成首款3纳米汽车芯片设计，这是印度首次实现此类先进汽车芯片开发，标志着印度半导体设计能力的重要进展。该芯片采用当前最先进工艺之一，正由全球合作伙伴进行样品测试。

瑞萨在印度的诺伊达和班加罗尔团队主导了这一设计，体现出公司对印度技术人才的重视。瑞萨计划继续扩大在印度的工程规模，员工数已增至约800人，预计不久将超1000人，目标是到2030年印度业务占全球收入的10%。

尽管不在印度自建晶圆厂，瑞萨与CG Power及Stars Microelectronics合资在古吉拉特邦建设半导体封装和测试工厂（OSAT），瑞萨持股不足7%。该厂将支持其自身及其他公司的芯片后道工艺需求。

3纳米芯片在能效、算力和集成度上优势显著，常用于汽车、AI及物联网等高需求领域。这一成果也与印度政府“半导体印度”战略相契合，显示出印度在高端芯片设计领域的潜力。

此外，印度正自主开发2纳米GPU，由班加罗尔C-Dac牵头，已获2亿美元资金，旨在降低对英伟达等国外技术的依赖，计划2025年底展示早期版本，未来可能交由台积电代工，预计成本比英伟达同类产品低50%。