大基金三期首个产业项目，投向拓荆科技

9月12日晚间，拓荆科技发布关于向控股子公司增资暨关联交易的公告，根据公司发展战略规划，为进一步推动控股子公司拓荆键科在三维集成设备领域的迅速发展，拓荆键科本次拟融资共计不超过人民币103,950.00万元。

其中，拓荆科技拟以不超过人民币45,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本人民币192.1574万元。具体而言，27,094.41万元以公司对拓荆键科经评估后的债权出资、17,905.59万元以自有资金出资。本次交易完成后，拓荆科技对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为53.5719%。

国投集新拟以不超过人民币45,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本人民币192.1574万元，本次交易完成后，国投集新对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为 12.7137%。 

展昀禾、展昀启作为拓荆键科的员工持股平台，拟以合计不超过人民币10,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本 人民币42.7016万元，本次交易完成后，展昀禾及展昀启对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为2.8252%。后续上述员工持股平台将按股权激励计划规定进行行权并实缴出资。 

华虹产投拟以不超过人民币3,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本人民币12.8105万元，本次交易完成后，华虹产投对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为0.8476%。

海宁融创拟以不超过人民币950.00万元认缴拓荆键科新增注册资本人民币4.0567万元，本次交易完成后，海宁融创对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为 0.2684%。

值得一提的是，国投集新基金成立于2024年12月31日，背后的主要出资人为大基金三期，出资额710亿元，国投创业私募作为执行事务合伙人出资7100万元。根据已有公开信息来看，对拓荆键科的投资，也是大基金三期成立至今首度出手半导体产业项目。

除上述增资事项外，拓荆键科现有股东上海鑫强汇拟以拓荆键科投前估值250,000.00万元计算，向不超过6名与公司及拓荆键科非关联关系的投资方转让其持有拓荆键科79.4249万元注册资本。上述6名受让方拟将受让股权的表决权全权委托给拓荆科技行使。

此外，拓荆键科员工持股平台海宁展博、海宁展阳、展昀潮、展昀宁，以及本次增资方员工持股平台展昀禾、展昀启拟同时将其所持拓荆键科股权的表决权全权委托给拓荆科技行使。至此，拓荆科技预计将合计控制拓荆键科约77.7069%的表决权。

公告显示，拓荆键科主要聚焦应用于三维集成领域先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备的研发与产业化应用，现已先后推出了晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测产品、键合套准精度量测设备、永久键合后晶圆激光剥离设备等产品。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

根据公告披露，拓荆键科2024年营业收入为9729.5万元，利润总额为-192.22万元，净利润亏损213.65万元；2025年一季度利润总额为-1604.94万元，净利润亏损1594万元。

此外，拓荆键科董事会由3名董事组成，不设监事会。其中，拓荆科技有权提名/委派2名董事候选人/董事；国投集新有权提名/委派1名董事候选人/董事。提名的人选经拓荆键科股东会选举被任命为拓荆键科董事。各方同意在相关股东会上投票赞成上述投资方推荐及提名的人士出任董事。

针对此次增资，拓荆科技表示，公司对拓荆键科仍保持控制，仍对拓荆键科合并报表。本次增资能够改善拓荆键科财务状况，有助于拓荆键科扩张产能，增强研发实力，扩大拓荆键科业务规模，短期内不会对公司的财务状况和经营成果产生重大不利影响，长期预计将对公司经营发展产生积极影响。

除了增资公告，拓荆科技在同日还宣布了一项46亿元规模的定增预案。公告显示，拓荆科技拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币46亿元，将用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目建设，其中将投入11亿元用于补充流动资金。

其中，高端半导体设备产业化基地建设项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。

该项目实施主体为拓荆科技及拓荆创益，拟投资总额176,830.11万元，其中拟使用本次募集资金150,000.00万元，项目建设周期为5年，公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。

项目建设完成之后将大幅提升拓荆科技高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，以充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模。

前沿技术研发中心建设项目拟开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权、面向前沿技术领域应用的先进薄膜沉积设备产品，同时，持续进行PECVD、ALD、沟槽填充CVD等产品的优化升级，不断提升产品性能，满足先进工艺的迭代需求。此外，本项目将进行新一代自动化控制系统和控制软件架构开发，通过智能算法、优化数据处理等方式，促进设备性能的提升和自主创新性。

该项目实施主体为拓荆创益及拓荆上海，拟投资总额200,129.38万元，其中拟使用本次募集资金200,000.00万元，建设期为3年，实施地点位于辽宁省沈阳市浑南区及上海市临港新片区的公司自有土地使用权对应宗地，投资项目备案等程序正在办理过程中。

本次发行股票拟使用募集资金110,000.00万元用于拓荆科技及全资子公司补充流动资金，有助于解决公司经营发展过程中对流动资金的需求，保障公司可持续发展。