三星拟扩大1c DRAM产能

来源:半导纵横发布时间:2025-09-12 16:10
三星电子
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三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资,力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出,三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。

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