拓荆科技上半年营业收入19.54亿元，同比增长54.25%

拓荆科技公布2025年半年度报告，2025年上半年实现营业收入19.54亿元，同比增长54.25%；归母净利润0.94亿元，同比下降26.96%；归母扣非净利润0.38亿元，同比增长91.35%。

关于营业收入变化，拓荆科技在公告中表示，公司产品竞争力持续提升，先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，逐步进入规模化量产阶段。基于新型设备平台和新型反应腔的PECVD Stack、ACHM及PECVD Bianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断增加，ALD设备持续扩大量产规模，业务增长强劲。

对于2025年上半年归属于上市公司股东的净利润同比下降，拓荆科技表示主要是2025年第一季度归属于上市公司股东的净利润大幅下滑所致，因2025年第一季度确认收入的新产品、新工艺的设备在客户验证过程成本较高，毛利率较低。随着公司新产品验证机台完成技术导入并实现量产突破和持续优化，2025年第二季度毛利率环比大幅改善，呈现稳步回升态势。

在市场拓展方面，拓荆科技持续优化客户结构，在巩固国内龙头晶圆厂合作的同时，成功导入新客户，市场渗透率进一步提升。截至目前，合同负债达453,577.43万元，相较2024年年末增长52.07%，主要系在手订单增加所致，为后续收入持续增长奠定了基础。

研发投入及产业化进展

今年上半年，拓荆科技研发投入金额达到34,917.71万元， 同比增长11.09%，研发投入占营业收入比例为17.87%。上半年新增申请专利143项（含PCT）、新增获得专利89项，累计申请专利1783项（含PCT）、 获得授权专利581项。

根据公告披露的信息，截至目前，拓荆科技累计出货超过3,000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。公司薄膜沉积设备平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平），在客户端产线生产产品的累计流 片量已突破3.43亿片。

今年上半年，拓荆科技推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。其中，基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M） 和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO 叠层）、ACHM、Lok-II及PECVDBianca 等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大；应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证；目前已实现对PECVDACHM、 a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛；基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO2和PE-ALDSiCO多台通过客户验证，不断扩大量产规模，已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖；Thermal-ALD TiN持续获得客户订单，出货量不断扩大。

而在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，拓荆科技晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，同时，新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户。

在建项目进展及对外投资

根据公告，拓荆科技“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。该产业化基地已于2025年6月投入使用，该项目已结项。

“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币 110,000.00 万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民 币83,173.40 万元由拓荆科技及拓荆创益自筹。目前该项目已取得土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。

此外，拓荆科技设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品。全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球，为公司进一步拓展海外业务奠定基础。同时，今年上半年拓荆科技开展了对原子启智的股权投资，布局覆盖了ALE（原子层刻蚀）等设备。