存储厂商推出超高带宽内存X-HBM架构

近日，NEO Semiconductor宣布，推出全球首款用于AI芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构。

X-HBM基于NEO专有的3D X-DRAM架构，突破了长期以来带宽和密度方面的限制，代表了内存技术的重大飞跃。相比之下，仍在开发中、预计将于2030年左右上市的HBM5预计仅支持4K位数据总线和每芯片40Gbit的容量。

韩国科学技术院(KAIST)最近的一项研究预测，即使是预计于2040年左右上市的HBM8，也只能提供16K位总线和每芯片80Gbit的容量。相比之下，X-HBM提供32K位总线和每芯片512Gbit的容量，使AI芯片设计人员能够绕过传统HBM技术伴随的长达十年的性能瓶颈。

据悉，X-HBM的带宽是现有内存技术的16倍，密度是现有内存技术的10倍。

NEO Semiconductor指出，X-HBM旨在满足生成式AI和高性能计算日益增长的需求，其32Kbit数据总线和单芯片高达512Gbit的存储容量，带来无与伦比的性能，显著突破了传统HBM的局限性，带宽提升16倍，密度提升10倍。