三星将延长DDR4生产期限至2026年

据报道，三星已决定将其DDR4 1z DRAM的生产延长至2026年，而此前的计划是在今年内结束生产。

这家韩国科技巨头早前曾告知客户，计划在2025年底前逐步停止1z工艺DDR4 DRAM的生产。

然而，消息人士称，三星最近取消了该计划，并决定将生产持续到2026年12月。公司计划很快将此变动通知客户。

三星在高带宽内存（HBM）的验证方面已落后于竞争对手SK海力士和美光，目前正在努力提高产量。HBM因用于AI应用而需求旺盛。

这很可能影响了三星决定继续运营其DDR4生产线，以最大限度地利用现有产能。1z生产线已完全折旧，因此成本低廉，生产DDR4能够为其芯片业务的盈利能力做出重要贡献。

另一个因素是近期DDR4 DRAM价格的飙升。这是由于芯片供应减少，导致短期需求增加。为了提高HBM的生产率，主要DRAM制造商SK海力士和美光已大幅降低了DDR4 DRAM的产量。一些整机制造商也在为应对美国关税而囤积DDR4 DRAM。此外，可长期使用的工业主板和电信设备也继续使用DDR4。

据集邦咨询（DRAMeXchange）的数据，截至7月下旬，PC DDR4 8Gb(1Gx8)的固定价格环比上涨50%至3.9美元。在此前的三个月里，该芯片的价格一直以两位数的速率增长——4月环比上涨22.22%，5月上涨27.27%，6月上涨23.81%。另据TrendForce的数据，7月份DDR4 8GB模组的合约价也达到26.5美元，比下一代产品DDR5模组的25.5美元还要贵。

三星延长DDR4生产周期的决定可能会缓解这种短缺。消息人士称，虽然价格下跌的可能性不大，但价格上涨的速度预计将放缓。

反之，他们补充道，这一延长也间接证明了三星扩大HBM产量的计划并未如预期般顺利。

DDR5，大方向不变

TrendForce 预测，今年第三季度，在客户端和服务器应用中最流行的主流 DRAM 类型 DDR5 的价格将温和上涨3%至8%。并且，由于美国关税的压力，服务器DRAM价格应该会涨上加涨。

供应商表示，尽管DRAM制造商可能会略微调整停产时间表，但长期方向保持不变：传统工艺产线将继续逐步淘汰，生产重点将放在HBM和DDR5上。产能分配将取决于特定应用的价格，因此DDR4的供应短缺依然严峻。

终端客户更换DDR4供应商或升级到新的DDR5标准需要大约三到六个月的产品验证期，这表明供应短缺可能会持续到2026年初。

消息人士认为，DDR4的激进停产主要影响中低容量的工业控制和消费应用。尽管经济存在不确定性，许多中端智能手机仍使用LPDDR4或LPDDR4X，只有高端型号才升级到LPDDR5。中国智能手机品牌强调性价比，在国内和海外中端市场占据主导地位。最近，一些品牌报告LPDDR4供应短缺，阻碍了出货势头。

此外，消费级PCIe接口SSD设计主要支持DDR4。由于控制器设计仅兼容DDR4且材料来源日益枯竭，产品生命周期面临提前终止的风险，加剧了相关供应链的出货中断。

DDR4与DDR5，性能对比

架构设计方面，DDR4采用传统的64位单通道架构，需要两根内存条才能实现双通道效果；而DDR5创新性地将单根内存条拆分为两个独立的32位子通道（称为"伪双通道"），单根即可实现类似双通道的效果，但需两根内存才能发挥全部性能。这种设计使得DDR5在数据传输上更加高效，进一步提高了内存带宽。此外，DDR5采用了"1+10"分布式缓冲内存子系统框架（由1颗RCD芯片和10颗DB芯片组成），相比DDR4的"1+9"框架进一步优化，大幅减少了CPU与DRAM颗粒间的负载效应，降低了信号传输损耗。

频率与带宽是两代内存最显著的差异之一。DDR4的主流频率范围为2133-3600MHz，理论带宽为25.6GB/s（以DDR4-3200为例）；而DDR5的起步频率就达到4800MHz，主流型号可达6000-8000MHz，甚至未来有望达到8400MHz，带宽轻松突破76.8GB/s。以DDR5-4800为例，其带宽为38.4GB/s，较DDR4-3200提升50%；而DDR5-6400的带宽达到51.2GB/s，实现了对DDR4的翻倍超越。

容量支持方面，DDR4单条最大容量为32GB（消费级），而DDR5单条最大容量可达128GB（消费级常见48GB），是DDR4的四倍。这种容量的大幅提升特别适合需要大内存的专业应用场景，如视频编辑、3D渲染和AI训练等。

能效管理上，DDR4工作电压为1.2V，而DDR5降至1.1V，功耗降低约8%。更值得注意的是，DDR5引入了革命性的电源管理设计——内置电源管理IC（PMIC），将电压调节从主板转移到了内存条本身。这种设计不仅提高了供电稳定性，还增强了超频潜力，但同时也增加了内存模块的成本。

纠错机制的改进也是DDR5的重要升级。DDR4依赖主板提供的ECC（错误校正码）功能，而DDR5集成了On-die ECC（芯片内纠错），可以在数据从DDR5器件输出之前执行校正，有效防止数据损坏，提高系统稳定性。虽然这种On-die ECC弱于服务器级ECC，但已能显著降低普通用户的蓝屏概率。