三星计划本月向AMD、英伟达等提供HBM4样品

据报道，三星计划在本月底向AMD和英伟达等客户提供HBM4样品。三星将采用10纳米级第六代DRAM工艺（1c）来开发更精密、良率更高的HBM4，以改变SK海力士在HBM3E市场上的独家供应地位。此前，三星在HBM3方面的推进较为迟缓，未能及时通过英伟达的认证，导致其在HBM3E市场中未能打入英伟达的主流供应链。

相较其他DRAM产品，HBM技术路线面临的挑战更多，涉及前端制程节点演进和后端制程工艺演进。具体而言，在前端，HBM需要在每片晶圆上打TSV（硅通孔），架构复杂，未来的新架构引入能否成功存在变数。在后端，从HBM4到HBM5，堆叠层数朝20层发展，原厂工艺将由MR-MUF（回流模塑填充）、TC-NCF（非导电胶膜）过渡到HCB（混合键合）。

三星此次推出的HBM4样品不仅在技术上有所突破，还在量产时间上有所提前。三星计划在2025年底实现HBM4的量产，并从明年起与SK海力士展开全面竞争。与此同时，SK海力士也在加速HBM4的开发和量产进程，计划在2025年下半年正式量产HBM4，并为英伟达的Rubin GPU平台提供支持。

尽管三星在HBM3E的验证过程中遇到了一些困难，但其在HBM4的开发中表现出了更强的竞争力。根据此前信息，三星计划在8月交付更高堆叠的HBM4 16Hi样品。

三星在HBM4市场上的竞争不仅限于技术层面，还涉及供应链和制造能力。三星计划在平泽P4厂及华城17产线进行1c DRAM的设备投资与制程转换，为HBM4的量产做准备。

目前，SK海力士、三星、美光科技均推出了HBM4样品。随着这些存储原厂纷纷推进HBM4的研发和生产，预计将会对AI芯片存储市场产生重大影响。特别是对于英伟达等AI加速器制造商而言，HBM4的引入意味着更高的性能和效率，同时也可能带来成本上的竞争优势。此外，随着更多厂商进入HBM市场，供应链的多元化可能会削弱单一供应商的垄断地位，并促使价格下降。

随着HBM供应链厂商的增加，市场格局将发生显著变化。英伟达在明年即将发布的新款AI加速器 “Rubin” 的定价上，将拥有更大的话语权，预计 AMD 的 MI400 也会出现类似情况。投资银行高盛对此分析认为，由于竞争的加剧，预计明年 HBM 的价格将下降 10%。HBM 的定价权将逐渐从制造商转移到以英伟达为代表的客户手中，这意味着SK海力士长期垄断80-90%英伟达订单的局面将一去不复返。

即便三星未能及时通过英伟达的相关认证，市场上的竞争态势依然可能导致HBM的价格下降。这是因为美光科技也已经通过了英伟达的认证，成为了另一个可选供应商。英伟达可以利用这一情况作为谈判筹码，促使SK海力士降低价格以保持其市场份额。

除了英伟达，其它AI芯片厂商也在搭载HBM，尤其是HBM定制化需求在增多。根据相关统计，2024年英伟达占有61%HBM消耗量。2026年、2027年英伟达的消耗量比例可能减少。而这其中的关键原因之一就是ASIC（专用集成电路）供应商增多，搭配的HBM颗数也增多。例如，谷歌推出的第七代TPU Ironwood就配备了192GB大内存HBM。

Counterpoint相关报告则称，当前包括英伟达、亚马逊、微软、博通和美满电子在内，已有七到八家IT厂商在推动HBM定制，预计到2026年HBM4亮相时，定制HBM市场将大幅扩张。定制化的好处是，将一些GPU电路放到HBM那片采用逻辑制程制造的芯片上，可减少HBM和GPU的沟通数据量，预计2027年将有大客户采用客制化方案。