SK keyfoundry和LB Semicon采用直接RDL技术进行先进芯片封装

SK keyfoundry与LB Semicon共同开发了基于8英寸晶圆的半导体核心封装技术——Direct RDL（再分布层）的核心技术，并完成了可靠性测试。此举标志着SK keyfoundry在推进下一代半导体封装技术、增强汽车半导体产品竞争力方面迈出了重要一步。

RDL 是指半导体芯片顶部的金属布线和绝缘层，用于实现电气连接。它主要用于晶圆级封装 (WLP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 工艺，以增强芯片与基板之间的连接性，同时最大限度地减少信号干扰。

在芯片封装中，RDL起着XY平面电气延伸和互联的作用。例如，当芯片从传统的Bond Wire工艺向Flip Chip工艺转变时，由于Flip Chip工艺对I/O端口布局的要求不同，RDL可以将原本位于芯片边沿或者四周的I/O端口进行重新布局。这就像是把分散在城市边缘的车站（I/O端口）通过新建的道路（RDL布线）连接到城市中心或者其他新的区域，从而让不同区域之间的交通（电气信号）更加顺畅。

在一些复杂的封装结构中，如2.5D IC集成和3D IC集成场景下，RDL也发挥着重要作用。在2.5D IC集成中，除了硅基板上的TSV（硅通孔），RDL同样不可或缺，它能够通过将网络互联并分布到不同的位置，从而将硅基板上方芯片的Bump（凸点）和基板下方的Bump连接起来。在3D IC集成中，如果堆叠上下是不同类型芯片，则需要通过RDL重布线层将上下层芯片的I/O进行对准，从而完成电气互联。

RDL能够扩展和重新分配信号路径，将芯片上的输入/输出引脚（I/O）从密集区域重新布线至较大区域，避免传统封装中引脚密度不足的问题。现代封装中，RDL层的设计已经从单层发展为多层结构，以应对复杂信号和高密度集成的需求。尤其是在Fan - Out（扇出型）封装和WLP（晶圆级封装）中，RDL的精细化布线技术成为核心，从而实现更高密度的信号连接，提高了I/O密度。

它可以适应不同的封装形式和芯片布局需求。例如，对于不同尺寸、不同功能的芯片，RDL可以根据具体情况对I/O进行重新布局，使得这些芯片能够更好地集成到各种封装结构中。无论是小型的可穿戴设备芯片封装，还是大型的服务器芯片封装，RDL都能发挥其灵活性的优势。

在多芯片集成场景下，不同芯片的I/O布局可能存在差异，RDL可以对这些不同的I/O进行适配和连接，实现多芯片之间的高效电气互联，提高整个封装系统的集成度和功能扩展性。

SK keyfoundry 和 LB Semicon 最新联合开发的 Direct RDL 技术，支持高电流容量的功率半导体，性能远超竞争对手。该技术实现了高达 15 μm 的金属布线厚度，布线密度覆盖高达 70% 的芯片面积，不仅适用于移动和工业应用，也适用于汽车应用。

值得一提的是，该解决方案符合 AEC-Q100 国际汽车半导体质量标准下的 Auto Grade 1 等级，可在 –40℃ 至 +125℃ 的工作温度范围内确保在恶劣环境下可靠运行。与竞争对手不同，这使得该技术完全适用于汽车产品。此外，通过提供设计指南和工艺开发套件，SK keyfoundry 现在可以提供根据客户需求定制的工艺解决方案，实现更小的芯片尺寸、更低的功耗和具有成本效益的封装。

半导体封装测试专家LB Semicon表示，借助SK keyfoundry对半导体工艺的深入了解和先进的制造能力，显著缩短了开发时间。通过整合自身的后端工艺技术与SK keyfoundry的代工工艺专业知识，两家公司成功实现了优化的晶圆级直接RDL形成，预计将大幅提升生产效率。

LB Semicon 首席执行官金南石 (Namseog Kim) 表示：“直接 RDL 技术的联合开发是 SK keyfoundry 和 LB Semicon 加强技术竞争力的重要里程碑。”他还补充道：“通过两家公司的密切合作，我们计划在高可靠性的基础上，在下一代半导体封装市场站稳脚跟。”

SK keyfoundry 首席执行官Derek D. Lee表示：“与半导体封装专家 LB Semicon 的联合开发意义重大，因为它表明我们公司已成功将先进全面的制造专业知识融入尖端半导体封装工艺开发。SK  keyfoundry 将继续与半导体技术领先的公司 LB Semicon 合作，进一步发展，并将自身定位为一家拥有成熟能力的顶级代工厂，为全球市场提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。”