二季度，SK海力士存储营收追上三星

分析机构 Counterpoint 在新闻稿中指出，在 DRAM 内存 + NAND 闪存的整体存储营收方面，SK 海力士在今年二季度实现了 31% 的显著环比增长，以 155 亿美元（约合 1112.92 亿元人民币）的水平追上了传统领先者三星电子。

三星电子的二季度存储营收环比增幅为 18%；美光则是以 19% 的环比提升达到 102 亿美元（现汇率约合 732.37 亿元人民币）。

Counterpoint 高级研究员 Choi Jeong-ku 表示：“SK 海力士在 2023 年第一季度遭遇了史上最大季度亏损和减产的痛苦，但随着 2024 年第一季度实现了 HBM3E 的全球首次量产，开启了强劲的上升势头。SK 海力士在 2025 年第一季度首次创下了 DRAM 市场销售额全球第一的纪录，并在 2025 年第二季度与三星争夺整体存储市场第一的位置。”

而对于三星电子而言，其营收的未来增长受到向英伟达供应 HBM3E 仍存在不确定性的影响，预计全年度 HBM 内存销量增长与去年相比将较为有限。

在人工智能热潮的推动下，SK海力士的股价今年迄今已飙升近50%。据报道，SK集团计划与亚马逊网络服务公司（AWS）合作，在蔚山建设人工智能数据中心。据悉，SK集团旗下的SK电信和SK宽带将主导该计划，SK海力士等其他子公司也将提供支持。

该数据中心目标电力容量达到103兆瓦，将部署多达6颗GPU，对于韩国加速推进AI发展具有指标性意义。

这一合作消息公布后，SK海力士股价应声大涨。

SK海力士去年利润21.33万亿首超三星 

根据韩国CXO研究所的数据，SK海力士在2024年的营业利润达到了21.33万亿韩元，首次超越三星电子，成为韩国上市公司中的营业利润冠军。

过去一年，韩国1000家主要上市公司的营业利润总额达到了148.2865万亿韩元，创下自2000年以来的最高水平。

这一数字较2023年的76.9245万亿韩元大幅增长了70万亿韩元以上，增长率高达92.7%。

这一显著增长主要得益于2023年整体营业利润的大幅下滑，当时许多企业，包括三星电子和SK海力士，都遭受了重大营业损失，导致整体营业利润降至100万亿韩元以下。

在SK海力士之后，三星电子以12.36万亿韩元的营业利润位居第二，紧随其后的是起亚汽车（8.49万亿韩元）、现代汽车（6.59万亿韩元）、现代商船（3.48万亿韩元）。

三星电子在2024年的销售额为209.05万亿韩元，远高于SK海力士的55.74万亿韩元，CXO表示：“以母公司为基准，三星电子去年的销售额是SK海力士的近4倍。但是SK海力士的营业利润率为38.3%，超过了三星电子的5.9%。”

CXO还指出，如果这一趋势持续下去，SK海力士有望在2025年继续保持营业利润的领先地位，而三星电子则需要在下半年制定增强盈利能力的战略。

SK海力士聚焦4F² VG与3D架构创新

在IEEE VLSI 2025国际研讨会上，SK海力士在会上首次公布面向未来的DRAM（半导体存储器）技术中长期发展蓝图，对公司在存储芯片领域的技术创新战略进行系统阐述。

SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙在会上发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲。他指出，当前微缩制程的技术路线已接近物理极限，公司正在加速推进结构创新与材料革新，重点布局4F² VG平台和3D DRAM两大技术方向。

4F² VG平台采用垂直栅极架构，可以大幅缩小DRAM单元尺寸，同时优化存储密度、运行速度与能效表现。结合晶圆键合技术，该平台有望在单位存储效率和电气性能上实现显著突破。如果成功商用，4F²架构或成为继当前主流的6F²单元后，DRAM领域的又一次重大技术迭代。

与此同时，SK海力士还把3D DRAM列为另一重点研发方向。堆叠结构面临制造成本攀升的挑战，公司表示计划通过提升良率推动商业化进程，确保技术落地兼具性能优势与经济效果。

车宣龙强调，行业普遍认为DRAM技术会在20纳米节点遭遇瓶颈，但SK海力士通过持续创新不断突破极限。此次技术蓝图的发布，既是对研发路径的前瞻规划，也为新一代工程师树立明确目标。未来公司还会继续深化产业协作，加速技术成果转化。

另外，研讨会闭幕日当天，负责下一代DRAM研发的SK海力士副社长朴柱东（音）计划出席研讨会并作专题报告，公布VG平台与晶圆键合技术的电学性能验证数据，进一步展现下一代DRAM的产业化潜力。