三星新目标：6月内将2纳米GAA工艺良率提升至60%-70%

据报道，三星已经开始实施一项“选择与集中”战略，其主要目标是将 2 纳米 GAA 技术的良率提升至 60% 至 70%。一旦达到这一里程碑，大规模生产将成为可能，潜在客户也将进一步认识到其技术潜力。

三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升 2 纳米 GAA 良率的战略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平台上发布了详细信息，指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求，这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于 2 纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在 2 纳米 GAA 节点上已经取得了一定进展，使其成为帮助三星实现复兴并对抗台积电的可行选择。

然而，三星的处境并不乐观。此前曾有报道称，三星终于获得了一线生机，有望为高通生产骁龙 8 Elite Gen 2 芯片，但在完成试生产阶段后，高通却据称取消了这一计划。尽管如此，三星并未放弃努力，据悉其已完成了第二代 2 纳米工艺的基本设计，并计划在未来两年内推出第三代技术，即“SF2P+”。