紫光国芯发布自研PSRAM产品

近日，紫光国芯自主研发的PSRAM（低功耗伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布，并同步上线天猫官方旗舰店。

此次上新的PSRAM产品兼容业界主流接口协议Xccela，容量覆盖32Mb，64Mb和128Mb，采用BGA24L超薄封装，同时也支持KGD产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧AI产品打造高性能存储解决方案。

紫光国芯 PSRAM产品在进一步实现芯片尺寸紧凑的同时，将产品速度提升至1066Mbps，可实现最高17.06Gb/s的大带宽性能，为客户提供更高性价比的存储方案。还可支持在线动态可配置X8，X16模式，以高度适配不同应用的需求。

为满足物联网终端设备对长续航的严苛需求，紫光国芯PSRAM系列产品支持包括Half Sleep的低功耗设计，主力产品支持常规1.8V低压供电，即将上市的256Mb PSRAM新品可支持1.8V&1.2V双压，及动态变压0.9V等超低功耗模式，为SoC客户增强系统性能，获得更久、更强劲的续航表现

什么是PSRAM？

PSRAM（Pseudo Static Random Access Memory）是一种伪静态随机存储器，它结合了动态随机存储器（DRAM）的技术和静态随机存储器（SRAM）的接口协议。PSRAM的内核采用DRAM架构，即使用一个晶体管和一个电容器（1T1C）构成存储单元，而传统的SRAM需要六个晶体管（6T）来构成一个存储单元。这种设计使得PSRAM在相同体积下可以提供更大的存储容量，并且成本相对较低。

相比传统存储器，PSRAM具有如下优点：

1. 更大的带宽：串行PSRAM通过八路串行接口对外互联，最高在200MHz Double-Data-Rate速率下，可实现超3Gbps的带宽传输；

2. 更高的容量：目前可实现存储容量比市面上其他串行接口随机存储器的容量要大很多；

3. 更低的成本：串行PSRAM采用DRAM架构，可以有效压缩芯片体积，故串行PSRAM生产成本接近DRAM成本；

4. 更小的尺寸：串行PSRAM的低引脚数封装与传统的RAM存储相比，具有尺寸更小、成本更低等优势；

5. 更广的应用：PSRAM采用的是自行刷新（Self-Refresh），不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据；而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此PSRAM相比传统RAM会有更广的应用；

PSRAM的应用场景主要包括便携式产品、物联网设备以及内存扩展等。PSRAM适用于需要一定缓存容量的便携式产品，特别是数据密集和突发存取的应用。PSRAM在语音交互领域具备独特优势，尤其是在需要数据缓冲以解决网络不稳定问题的智能语音交互设备中。PSRAM可以作为内存扩展选项，尤其是对于没有并行RAM扩展接口的MCU/SoC，PSRAM提供了SPI/QSPI等串行接口的内存扩展方式。

值得一提的是，在紫光国芯的2024年财报中，有一项政府补助项目与PSRAM有关，即陕西省2021年重点研发计划——新一代虚拟静态随机存取存储器(PSRAM)芯片项目，但是该项目的年初余额与年末余额并未发生变化，不知道该项目在2024年是否未有任何进展。