近日,中微公司宣布其刻蚀设备系列喜迎又一里程碑:Primo Menova 12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发设计及制造服务商。
中微公司的12英寸ICP单腔刻蚀设备 Primo Menova 专注于金属刻蚀,尤其擅长于金属Al线、Al块的刻蚀,可广泛应用于功率半导体、存储器件和先进逻辑芯片的制造,是晶圆厂金属化工艺主要设备之一。
Primo Menova 基于中微量产的ICP刻蚀产品Primo Nanova研发制造,秉承了优异的刻蚀均一性控制,可达到高速率、高选择比及低底层介质损伤等刻蚀性能。
Primo Menova 搭配高效率腔体清洁工艺,可减少腔室污染,延长腔体持续运行时间。
Primo Menova 系统还集成了配备高温水蒸气的除胶腔室(strip chamber),高效去除金属刻蚀后晶圆表面残留光刻胶及副产物。
Primo Menova 和除胶腔体可根据客户工艺需求灵活搭配,最大程度满足客户高生产效率的要求,确保机台在高负荷生产中的稳定性与良率。
根据此前财报透露,中微公司2024年ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1025个反应台,近四年年均增长大于100%。其ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产,并继续验证更多ICP刻蚀工艺。
2024年,中微公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的Nanova LUX-WT 和 Nanova LUX-Cryo 两种ICP设备。其中Nanova LUX-WT在客户端投入量产,Nanova LUX-Cryo在客户端认证中。这些配备新功能的Nanova系列的产品,提升了ICP刻蚀设备的刻蚀能力,有效地扩大了中微ICP设备在芯片制造中的量产刻蚀工艺覆盖率,获得重要客户的批量重复订单,实现高成长率。与此同时, 下一代ICP刻蚀设备Primo Nanova 2G在实验室已经搭建完成Alpha反应腔,正展开工艺开发。
8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV 200E、Primo TSV 300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时,在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证,并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会。
此外,中微公司开发了Primo Metal Al 刻蚀设备,并在实验室搭建了Alpha机台,开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺和实验室现场验证演示。
目前中微公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进存储、先进封装生产线。其中,CCP电容性高能等离子体刻蚀机和ICP电感性低能等离子体刻蚀机可覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求。截至2024年年底,公司累计已有超过6000台等离子体刻蚀和化学薄膜设备的反应台,在国内外137条生产线实现量产和大规模重复性销售。
值得一提的是,目前中微公司在研项目涵盖六大类、超过二十款新设备的开发。而且研发新产品的速度显著加快,过去通常需要三到五年开发一款新设备,现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备,并顺利进入市场。
2024年中微公司研发总投入达到24.5亿元,比2023年增加了94.3%,占营业收入比例约为27%,远高于科创板上市公司平均研发投入占收入比例的10%到15%。
中微公司资深副总裁丛海表示:“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求,并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。中微公司持续践行‘五个十大’的企业文化,将产品开发的十大原则始终贯穿于产品开发、设计和制造的全过程,秉持为达到设备高性能和客户严格要求而开发的理念,坚持技术创新、设备差异化和知识产权保护。随着新应用的进一步拓展,我们将继续推进与客户的密切合作交流,通过技术领域的持续创新,不断为客户提供极具竞争力的产品和解决方案,实现稳步发展与深度共赢。”
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