SK海力士推迟1c DRAM投资

据韩媒报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，转而专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

SK海力士2024年8月宣布成功开发1c 16Gb DDR5 DRAM，原计划在2024年年内完成1c DDR5 DRAM量产准备，从2025年开始供应产品。与前一代1b工艺相比，SK海力士1c DRAM生产率提高30%以上，将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，能效提高了9%以上。

SK海力士推迟1c DRAM量产线建设的原因在于，包括英伟达在内的主要AI半导体公司正在源源不断地涌入HBM订单。SK海力士今年的HBM产能已经售罄，明年的产能计划将在今年上半年完成与客户的最终协商。业界分析，HBM的盈利能力是普通DRAM的3-5倍。目前，HBM3 8层（24 GB）和HBM3E 8层（36 GB）产品售价分别在200美元出头和300美元出头。而计划在今年下半年及明年量产的HBM4 12层产品售价预计将超过600美元。

鉴于此，SK海力士正专注于扩大其1b DRAM产能，以作为HBM3E和HBM4核心芯片。其计划于下半年竣工的M15X也将安装1b DRAM量产线。SK海力士在4月举行的第一季度电话会议上也表示：“考虑到当前不确定的外部环境，正如我们之前强调的那样，我们将以需求可预见性高且盈利能力有保障的产品为中心进行投资，并进一步提高投资效率。”

据半导体设备业内人士透露，目前主要AI半导体公司对HBM4的需求比预期延迟了，未来HBM4E的量产也可能会延迟。考虑到需求和盈利能力，SK海力士不需要仓促投资1c DRAM。业界预计，SK海力士将在HBM4E量产后扩大1c DRAM的产能。SK海力士计划从HBM4E开始将1c DRAM用作核心芯片。

HBM助力，SK海力士首超三星成全球DRAM冠军

2025年第一季度，三星在全球DRAM市场的份额大约为34%，而SK海力士的份额约为36%，导致三星失去了其在DRAM市场的领导地位。这是SK海力士首次在排名中超越了长期占据DRAM市场最大份额的竞争对手三星，后者数十年来一直稳居DRAM最大供应商的地位。

Counterpoint Research预计，SK海力士将在第二季度继续保持DRAM最大供应商的地位。

值得注意的是，这一排名变化背后是AI算力需求激增所推动的产业变革。尽管HBM产品仅占SK海力士动态随机存取存储器（DRAM）收入的15%，却成为其主要利润来源。在AI服务器市场需求激增的背景下，HBM业务推动了SK海力士营收与利润的双重增长，从而实现了对三星的超越。

据相关数据显示，预计2023年至2026年期间，AI服务器的出货量年复合增长率将达到22%。在AI服务器出货量增长的带动下，预计2024年HBM在AI领域的营收将占DRAM市场总额的20%。预计2025年HBM的需求将达到20.8亿千兆字节，市场规模将突破311亿美元，成为推动DRAM市场增长的主要动力。

去年，SK海力士业绩创历史新高，总销售额达66.19万亿韩元，营业利润达23.47万亿韩元。HBM产品表现尤为突出，占第四季度DRAM总销售额的40%以上。SK海力士预计，在AI的推动下，到2027年，HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长。

此前有报道称，SK海力士计划将年度设备投资（CAPEX）预算在原有基础上增加30%。消息人士透露，SK海力士原本计划今年投资22万亿韩元用于扩建设施，但这一数字已提升至29万亿韩元。SK海力士也曾表示，其投资策略将专注于那些已经确保盈利的产品，在行动上，公司也正将M10晶圆厂的部分产能（主要生产传统节点产品）转换为HBM工艺。