SK海力士：4F2 VG和3D DRAM技术将应用于10nm及以下级内存

2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。

SK 海力士首席技术官 Cha Seon Yong 在会议发言中表示，延续现有技术平台进一步提升 DRAM 性能与容量的难度正与日俱增，该企业计划将 4F(2) VG 平台和 3D DRAM 技术应用于 10nm 或以下级内存，并在结构、材料和组件方面进行创新。

4F(2) VG 将传统 DRAM 中的平面栅极结构调整为垂直方向，可最大限度减少单一数据存储单元的面积占用，同时有助于实现高集成度、高速度和低功耗。在 4F(2) VG DRAM 中将以类似 NAND 闪存的方式使用混合键合技术。

Cha Seon Yong 认为，尽管业界有声音认为 3D DRAM 的堆叠层数增加意味着成本上升，但这一问题可同通过不断的技术创新来解决。