日月光推出FOCoS-Bridge TSV技术

日月光半导体最新推出FOCoS-Bridge TSV技术，利用硅通孔提供更短供电路径，实现更高 I/O 密度与更好散热性能，满足AI/HPC对高带宽与高效能的需求。

FOCoS-Bridge TSV结合高度整合的扇出结构优势与5µm 线宽/线距的三层RDL布线，可使电阻和电感分别降低 72% 和 50%。

据介绍，该技术突破传统电性互连的局限，实现处理器、加速器和内存模块之间的高速率、低延迟、高能效的数据通讯。当前已实现由两个相同扇出模块组成85mm x 85mm 测试载具(Test Vehicle)，每一模块以4个TSV桥接芯片以及10个整合式被动芯片，横向互连1个ASIC和4个HBM3内存。

日月光执行副总Yin Chang表示：“从智能制造、自动驾驶，到下世代零售基建与精准诊疗，AI日渐融入各应用领域，推动计算及能效需求呈指数级增长。我们推出FOCoS-Bridge TSV，彰显日月光整合解决方案支持AI生态系统的承诺。这项创新增强了我们 VIPack™产品组合，并针对可持续高性能计算架构提供了一个优化可扩展的高密度封装平台。”

日月光研发处长李德章表示：“HPC 和 AI 日益增长的应用加速高性能计算需求，日月光 FOCoS-Bridge 可实现 SoC 、Chiplets与HBM无缝整合。FOCoS-Bridge TSV提高运算和能效，并将我们的先进封装技术组合提升到一个新的高度。”

日月光工程和技术推广处长 Charles Lee表示：“日月光长期处于封装产业前沿，是高功率 AI/HPC应用先进封装领导厂商。我们的优势在于我们有能力提供创新技术以满足快速发展中客户不断变化的需求。”

日月光FOCoS-Bridge封装技术

FOCoS-Bridge技术是在ASE VIPack™平台下提供的，用于实现芯片let集成的硅桥接技术，利用具有路由层的微小硅片作为芯片let之间的封装内连接，然后将这些硅桥接器嵌入到扇出RDL层中。

FOCoS-Bridge的定位是使用硅中间体的2.5D封装的替代方案。与2.5D类似，硅桥接器在封装中提供了超细间距的互连，可以解决系统中的内存带宽瓶颈挑战。与2.5D相比，FOCoS-Bridge的优势在于只在需要连接两个芯片let的区域使用硅片。

FOCoS-Bridge的制造过程是先将具有微球团的硅桥接器芯片与晶圆载体连接，然后在晶圆载体上电镀铜柱。随后进行第一次模压工艺，将模压后的产品研磨，以暴露出铜柱和微球团，然后在其上形成RDL层。之后，将ASIC和HBM芯片连接在一起，进行下填充和第二次模压。晶圆载体被移除并形成C4焊球后，将模压晶圆切割成单个扇出封装。最后，使用传统的倒装焊接工艺将扇出封装连接到有机基板上。

FOCoS-Bridge技术提供了与硅中间连接器解决方案相似的电气、信号和电源完整性性能，但成本更低且没有晶圆尺寸限制。FOCoS-Bridge技术具有高度可扩展性，可以无缝集成到复杂的芯片架构中，同时提供具有亚微米线宽/线间距、高输入/输出数目和高速信号传输的高密度芯片对芯片(D2D)互连，以满足不断发展的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）需求。使用硅桥接器芯片使得边缘线密度（线/mm/层）比传统的有机倒装焊接封装高一个数量级。

此外，FOCoS-Bridge为扇出封装中嵌入被动器件和主动芯片奠定了基础，并提供了将解耦电容器集成用于功率传递优化以及直接访问某些功能（如存储器、I/O等）的主动芯片的选择。

日月光2024年先进封测营收暴涨超100%

根据日月光公布的2024年财报，全年营收为5,954.1亿元，较2023年增加2%，毛利率16.3%，较2023年增加0.5个百分点，税后纯益324.83亿元，也较2023年增加2%，EPS来到7.52元，为历年第三高的纪录。

日月光投控表示，受益于先进封测需求旺盛，2024年先进封测业务营收超过6亿美元，占整体封测业务营收比重达6%，相较2023年超过100%，封测业务在2024年全年营收达新台币3,258.75亿元，同比增长3%，毛利率为22.5%，同比增加0.7个百分点。

以半导体封测业务的终端应用领域分析，通信领域占比53%，PC领域占比17%，汽车、消费类电子与其他领域占比30%。如果具体的封测服务内容来看，Bump/复晶封装/晶圆级封装/SiP营收比重达47%，打线封装占比27%，测试占比18%，其他占比7%，材料占比1%。

日月光投控表示，未来十年整体半导体市场可能达到1万亿美元。其中，日月光将有望受益于对尖端先进制程技术的强劲需求，以及边缘AI加速应用带来的端侧芯片数量需求增长，在全方位的技术工具箱（3D、2.5D、扇出型封装、面板级封装、系统级封装、共同封装光学元件、功率、自动化）和规模优势使日月光成为客户首选的合作伙伴。