近日,纳微半导体宣布参与NVIDIA 英伟达下一代800V HVDC电源架构开发,旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持。
据此前报道,NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构,旨在为未来AI的计算负载提供高效、可扩展的电力传输能力,实现更高可靠性、更优效率并简化基础设施设计。
现行的数据中心普遍采用传统的54V机架内部配电架构,仅能支撑数百千瓦(kW)的负载。该架构依赖体积庞大的铜制母线将低压电力从电源模块传输至计算单元。然而,当功率需求超过200kW时,该架构受限于功率密度、铜材用量和系统效率等方面的物理极限。
为满足日益增长的AI算力需求,现代AI数据中心需配置吉瓦(GW)级供电系统。NVIDIA创新性地采用固态变压器(SST)和工业级整流器,在数据中心外直接将13.8kV交流电转换为800V高压直流,省去多级AC/DC和DC/DC变换环节,显著提升能效与可靠性。
纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示,“纳微很荣幸能够参与到NVIDIA 800V HVDC的架构建设当中。我们在高功率氮化镓与碳化硅领域的创新已开拓多个全球首例,并成功切入AI数据中心与电动汽车等新兴市场。 全面的产品组合使我们能够支持NVIDIA从电网到GPU的800V HVDC完整电力基建。衷心的感谢NVIDIA对我们技术实力与推动数据中心供电革新的认可。”
本文转自媒体报道或网络平台,系作者个人立场或观点。我方转载仅为分享,不代表我方赞成或认同。若来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请及时联系客服,我们作为中立的平台服务者将及时更正、删除或依法处理。