一位知情业内人士表示:“三星电子已经以提高的价格与客户签订了DRAM供应合同”,并补充道,“整个半导体行业的DRAM价格都在上涨。”
这是三星电子今年首次上调DRAM价格,也是近一年来首次上调。
去年,DRAM受到需求下降和供应过剩的影响。据市场调查公司DRAMeXchange统计,PC DRAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8)的跌势在去年下半年才真正开始,去年11月平均合约价格就下跌了20.59%。
DRAM实际固定交易价格也从4月份开始上涨。上个月,PC用DDR4 8Gb(1Gx8 2133MHz)价格环比上涨了22.22%。这是自去年4月以来固定交易价格首次上涨。
据报道,这是由于库存囤积需求突然增加所致。报告指出,PC、手机和服务器制造商的订单有所增加,试图在特朗普关税负担增加之前提前获得DRAM。
另一项分析是,人们认为DRAM价格目前处于最低点,这也推动了需求。
依据TrendForce此前发布的内存现货价格趋势报告,全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3与DDR4 DRAM,这一决策迅速在现货市场激起波澜,买家为避免供应短缺风险,纷纷提前囤积相关内存产品。
停产消息在一定程度上缓解了美国关税政策带来的市场观望氛围。部分买家为确保短期内库存充足,甚至愿意接受价格上涨,补货需求的大幅增长直接推动了现货价格全面上扬。
在PC DRAM模块领域,供应商的停产决定改变了市场走向,买家囤货热情高涨,询价数量显著增加,价格也顺应市场预期稳步攀升,采购与交易情况有所好转。不过,下半年内存需求走向仍存在变数。短期内,受供应端与采购需求双重影响,现货价格或将在高位波动,后续市场发展还需持续关注。
DRAM涨价,似乎已成业内共识。根据此前消息,SK海力士公司针对其消费级DRAM芯片进行了价格调整,上调幅度超过了10%。与此同时,市场研究机构DRAMeXchange发布的数据进一步证实了DRAM市场的价格走势,其中针对个人电脑市场的通用型DRAM产品,特别是DDR4 8Gb规格,其固定交易价格与3月份相比,实现了22.22%的显著增长。
分析指出,此次存储器价格上涨主要受到多重因素的影响,包括全球供应链瓶颈、晶圆产能限制以及美系客户的紧急拉货需求。特别是随着人工智能、云计算和5G技术的快速发展,对高性能存储器的需求持续增长,促使国际大厂集中资源生产高频宽存储器(HBM)和DDR5,这在一定程度上挤压了其他通用型DRAM的产能。此外,原材料成本上升及地缘政治因素进一步推高了生产成本。
业内人士认为,随着需求的不断增长,DRAM芯片的价格在短期内可能仍将保持高位运行。DRAMeXchange的调查也佐证了这一分析,尽管价格上涨,但市场需求并未出现明显放缓。
不仅多家海外存储头部企业宣布将从4月起提高部分产品报价,国内存储企业也纷纷上调了提货价格。存储行业是典型的周期性行业,存储芯片接下来的价格走势被业内普遍看好。行业专家表示,在存储减产的背景下,NAND Flash和DRAM(动态随机存取存储器)价格都有望在2025年迎来全面回升。
展望未来,中国存储芯片行业将迎来更多的发展机遇和挑战。一方面,随着数字化进程的加速推进和新兴技术的广泛应用,市场对高性能、大容量存储器的需求将持续增长,这将为半导体存储器企业提供更多的市场机会和发展空间。另一方面,半导体存储器行业也面临着技术迭代迅速、市场竞争加剧等挑战。企业需要制定科学合理的战略规划,加大在DRAM和NAND Flash等主流存储芯片领域的研发投入,提升技术水平和产品性能,以满足市场对高性能存储器的需求;同时,积极拓展新兴市场领域,如物联网、汽车电子等,通过技术创新和产品定制化策略,开拓新的市场空间。
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