连科半导体，八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果经鉴定达到国际领先水平

“连城数控”官微消息，近期，中国有色金属工业协会在无锡组织召开科技成果评价会。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集团周旗钢教授以及来自东南大学，南京航空航天大学，浙大科创中心等的五位专家组成的专家组，对由连科半导体有限公司等单位完成的两项科技成果进行了评价。

专家组一致认为，“8 吋 / 12 吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术” 项目，联合了浙江大学等单位，在行业首次推出直流双电源加热器、双温区热场结构，加热功率下降35%，降低到28Kw；开发了高精度控制软件，实现了对气体流量、压力的精确控制，满足了8吋/12吋SiC单晶的稳定生长，技术难度大、复杂程度高。在多家碳化硅衬底企业推广应用后，经济、社会效益显著，助力客户生长8吋/12吋碳化硅晶体，厚度达到5cm以上。项目整体技术达到国际领先水平。

“200mm 区熔硅单晶炉成套技术”项目，独创了下主轴与密封内衬分别由伺服电机驱动并同步耦合控制的技术，及第二相机测量熔化流量的控制新思路，攻克了主轴高精密加工和装配问题。形成了关键技术-样机示范-产业化应用的全链条技术体系。技术难度大、复杂程度高。项目技术已在有研半导体硅材料股份公司成功投产并稳定运行，技术重现性好、成熟度高。项目整体技术达到国际领先水平。