Q1，三星芯片部门营业利润暴跌42%

今日，三星电子披露第一季度财报数据，按合并财务报表口径计算，最终核实公司今年第一季度的营业利润同比增长1.2%，为6.6853万亿韩元（约合人民币340亿元）。

营业利润较韩联社旗下金融信息子公司联合Infomax统计的市场预期（5.1523万亿韩元）高29.8%。销售额同比增加10.05%，为79.1405万亿韩元，创下单季最高纪录。净利润同比增加21.74%，为8.2229万亿韩元。据分析，Galaxy S25旗舰新机上市带动整体业绩增长。

具体来看，负责芯片业务的设备解决方案（DS）部门同期销售额为25.1万亿韩元，营业利润1.1万亿韩元，同比下降42%。其中，存储器销售额环比下滑17%，系统LSI（大规模集成电路）业绩小幅提升，晶圆代工业务业绩不佳。

负责智能手机等整机业务的设备体验（DX）部门销售额为51.7万亿韩元，营业利润4.7万亿韩元。其中，移动体验（MX）和网络事业部门的销售额为37万亿韩元，营业利润4.3万亿韩元。得益于S25系列新机热销，以及零部件价格降低与资源优化，保持强劲的增长势头。

此前Counterpoint Research数据显示，得益于人工智能(AI)的需求，SK海力士很可能首次超越三星电子，成为全球最大的DRAM供应商。作为英伟达高带宽存储器(HBM)的主要供应商，SK海力士在3月份季度占据了DRAM市场36%的份额，而三星为34%。此前，三星电子在DRAM领域占据了30多年的霸主地位，但在去年12月季度，其营业利润首次低于SK海力士。

Counterpoint Research首尔研究主管MS Hwang表示：“这对三星来说是又一个警钟。”他表示，SK海力士在用于人工智能的HBM芯片方面的领先地位，可能为该公司同期的营业利润贡献了更大的份额。

动态随机存取存储器(DRAM)是一种最常用于处理计算机和服务器数据的存储器。HBM芯片由相互堆叠的DRAM芯片组成，这增加了芯片可以处理的数据量，对训练人工智能模型至关重要。

Hwang表示，这家总部位于韩国利川的公司进一步扩大了其在HBM领域的领先地位，第一季度占据了70%的市场份额。研究公司TrendForce预测，以千兆级出货量计算，2025年SK海力士将占据HBM市场一半以上的份额，三星的份额将降至略低于30%，而美光科技的份额将上升至近20%。

然而，存储器市场面临着来自美国关税、对华出口限制以及日益加剧的经济衰退担忧的挑战。

晶圆代工方面，三星也没能抢到先机。近日台积电在2025年北美技术研讨会上透露，该公司有望在今年下半年开始大规模生产N2（2nm 级）芯片，这是其首个依赖环栅（GAA）纳米片晶体管的生产技术。这一新节点将助力众多明年上市的产品，包括AMD面向数据中心的下一代EPYC“Venice” CPU，以及各种面向客户端的处理器，例如苹果2025年面向智能手机、平板电脑和PC的芯片。得益于GAAFET（环绕栅极晶体管）和增强的功率输出，新的2nm节点将在提高性能和晶体管密度的同时，实现显著的功耗节省。此外，后续工艺技术A16和N2P也有望于明年投入生产。

为了追赶台积电，三星之前在3nm节点大胆采用GAAFET技术，试图以更低功耗和更高性能抢占先机。然而产品的良率并不及预期。更严峻的是，三星的2nm制程同样受困于良率问题，原计划2027年量产的1.4nm工艺（SF1.4）因技术瓶颈可能被取消。

除此之外，中国大陆厂商以成熟制程为主战场，开始逐步蚕食市场份额，也让三星在成熟工艺领域陷入了被动。

在这条艰辛的道路上，三星正在想办法突围。前不久，三星宣布启动“梦想制程”1nm芯片研发，预计2029年后实现量产，旨在通过颠覆性技术突破追赶台积电。

这家韩国巨头正在向比2nm更先进的制程技术迈进。尽管当前在3nm、2nm节点落后于台积电，但三星计划通过颠覆性技术路线在2029年后实现1nm工艺量产，目标直指AI芯片市场的爆发式增长需求。

1nm节点需要彻底突破现有芯片设计框架，涉及高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）等下一代设备的全面导入。据悉，三星内部已将部分参与2nm研发的工程师调任至1nm项目组，显示出对该项目的战略重视。