半导体分立器件出海，第三代半导体或为破局关键

2024年全年，中国半导体分立器件的出口总额为484.2亿美元，呈下降趋势。主要出口目的地包括中国香港、荷兰和印度，这三个地区合计占出口总量的37%，沙特阿拉伯、巴基斯坦等国家出口增量较大。

中国分立器件产业现状

集成电路和分立器件是半导体产业中的两大重点分支。分立器件的“分立”一词是相对集成电路而言的，分立器件是独立功能的独立零件，具有单一的基本功能，而集成电路是复合功能的多管脚芯片，需要很多元部件组成来提供放大、开关、电路保护等功能。

半导体分立器件行业产业链上游包括原材料及设备，其中原材料包括硅晶圆、光刻胶、电子特气、金属材料等，生产设备覆盖半导体分立器件生产的各个环节，包括光刻机、刻蚀设备、清洗设备、检测设备等；中游覆盖半导体分立器件制造的全流程，总体与半导体元器件制造流程一致，包括设计、制造与封测；下游包括网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等多个领域。

根据SEMI的数据，2016-2024年期间，中国半导体分立器件产量呈波动增长趋势，尽管2023年，受到半导体市场下游需求增长放缓的影响，半导体分立器件产量仍维持稳步上升的趋势，2023年达到统计时间段内的峰值，为7875亿只。

但销售情况与生产情况有所不同，2018-2024年期间，全球半导体分立器件销售规模呈先上升后下降的趋势，增速呈波动发展趋势，2021年以来，全球半导体分立器件销售规模增速呈下滑趋势。根据WSTS的数据，2024年，全球半导体分立器件销售规模和增速将进一步下挫，销售规模预计将下滑至315.46亿美元。

在市场竞争方面，目前中国半导体分立器件行业已形成 “IDM 龙头 + 细分冠军 + 第三代半导体新锐”的竞争格局。具体而言，IDM企业通过垂直整合模式构建技术壁垒与产能优势，华润微6英寸功率器件产线覆盖MOSFET、IGBT等主流产品，士兰微IPM模块全球市占率超30%，SiC MOSFET性能对标英飞凌，闻泰科技是全球功率分立器件TOP3，2023年车规级MOSFET出货量超100亿颗；在细分赛道，扬杰科技是国家级 “制造业单项冠军”，光伏旁路二极管全球市占率超40%，汽车电子整流芯片国内市占率20%；捷捷微电是晶闸管领域国内龙头，市占率超30%；新洁能是高性能MOSFET领军者，在新能源汽车OBC市场市占率超25%；在第三代半导体领域，天岳先进是全球少数掌握8英寸SiC衬底量产技术的企业；三安集成建成全球首个6英寸SiC垂直整合产线，GaN射频芯片支持5G基站。

中国分立器件出海情况

根据企查查数据显示，截至2024年3月底，我国半导体分立器件行业现存企业4.36万余家。从历年企业注册情况来看，2023年中国半导体分立器件相关企业注册量最高达到13520家；2024年1-3月，企业注册量已达到2634家。

分立器件行业上市企业主要集中在长三角、珠三角、环渤海以及中西部。其中，江苏、浙江、上海集中了全国 45% 的厂商，形成 “设计-制造-封测” 全产业链集群，江苏省是上市公司分布最多的公司。

那么目前国内半导体分立器件的出海情况到底如何呢？笔者翻看了国内分立器件公司的最新财报，并将其中部分公司的出海收入编制到下表之中。

这些公司是如何获得海外收入呢？通过观察以上公司的海外收入来源，我们可以总结出几条国内半导体分立器件出海盈利的路径：

第一是在海外设立公司和生产基地，例如扬杰科技和闻泰科技的主要生产基地分布在欧美地区，并在积极扩大在美洲和东南亚生产布局。闻泰科技通过收购安世半导体，利用其德国汉堡和英国曼彻斯特的芯片生产基地；而扬杰科技则在美国、新加坡和德国等地设立销售和技术服务中心。

第二是建设海外销售渠道，例如华为海思、思瑞浦海外市场主要以欧美和东亚日韩等国为主，通过铺设销售渠道提供高市场覆盖度，更快的响应海外客户的需求，提供本地化支持。

第三是依托香港进行对外贸易实现走出去，例如国内射频龙头厂商卓胜微依托全资子公司Maxscend Technology（卓胜香港）作为境外贸易实体开展对外贸易业务。

根据最新数据显示，2025年1-2月中国二极管及类似半导体器件出口量1060亿个，同比增长16.3%。从金额方面来看，数据显示，2025年1-2月中国二极管及类似半导体器件出口金额6297.7百万美元，同比下降22%。

第三代半导体或成为破局关键

第三代半导体材料是指具有宽带隙的材料，代表包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）。这些材料以其宽带隙特性，在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨大的潜力，预计将在多个领域内逐渐取代前两代半导体材料，是未来半导体技术发展的重要方向。

据预测，第三代半导体全球市场规模将于2024年达45亿美元，中国占比30%，2030年突破200亿美元，年均增速28%。在技术革新与能源革命双轮驱动下，第三代半导体产业爆发势不可挡。

值得一提的是，碳化硅和氮化镓以其卓越的物理特性成为了第三代半导体的代表，在衡量半导体性能的关键指标上，碳化硅的性能是硅的440倍，而氮化镓更是达到了硅的1130倍。根据集邦咨询数据，2022年全球碳化硅功率器件市场规模将达16.09亿美元，预计到2026年市场规模将达53.28亿美元；而全球氮化镓功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美元成长到2026年的13.3亿美元。

第三代半导体代表了半导体技术的发展方向，是 “超越摩尔定律” 的重要发展路径。在这一新兴领域，中国与国外的技术差距相对较小，有机会通过自主创新和技术突破，实现弯道超车，在全球半导体产业中占据一席之地。

目前中国第三代半导体的海外布局主要集中在东南亚、欧洲和北美。其中，越南、马来西亚依托低劳动力成本承接封装测试产能，2024年扬杰科技、江波龙在此设厂；在德国工业4.0政策推动，意法半导体与三安合作工厂已实现8英寸衬底量产；在北美，特斯拉Optimus主导工业机器人市场，但需要注意关税壁垒。

业内认为，当前第三代半导体产业已进入“生死时速”阶段，2025年量产能力决定生死线，2030年或成全球格局定型之年。