铠侠第10代闪存332层创纪录

铠侠宣布了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。

铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，其实就是学习的长江存储的Xtacking晶栈架构。

3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西数的218层。

铠侠的目标，是在2027年造出1000层堆叠的3D闪存。

得益于更多层的堆叠，存储密度号称提升59％，算下来约为每平方毫米36.4Gb，同样远远领先友商，西数也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不过每平方毫米20Gb。