英特尔18A与台积电N2，孰强孰弱？

TechInsights和SemiWiki发布了英特尔和台积电在国际电子器件会议（IEDM）上披露的关键细节，涉及他们即将推出的18A（1.8纳米级）和N2（2纳米级）工艺技术。根据TechInsights的说法，英特尔的18A可以提供更高的性能，而台积电的N2可能提供更高的晶体管密度。

TechInsights的分析师认为，台积电N2提供了313 MTr/mm²的高密度（HD）标准晶体管密度，远远超过了英特尔18A（238 MTr/mm²）和三星SF2/SF3P（231 MTr/ MM²）的HD电池密度。虽然这些信息与18A、N2和N3的SRAM单元尺寸以及台积电对N2和 N3的期望值基本一致，但也有一些需要注意的地方。

首先，这只涉及HD标准电池。几乎所有依赖于前沿节点的现代高性能处理器都混合使用高密度（HD）、高性能和低功耗（LP）标准单元，更不用说台积电的FinFlex和NanoFlex等功能了。

其次，目前还不清楚英特尔和台积电的高性能LP标准单元的比较。虽然可以合理地假设N2具有晶体管密度的引线，但它可能没有HD标准电池中的引线那么大。

第三，在 IEDM 活动上，英特尔和台积电都披露了其下一代18A和N2制造工艺在性能、功率和晶体管密度方面的优势。尽管如此，目前还没有办法对这两种制造技术进行正面比较。

在性能方面，TechInsights认为英特尔的18A将领先于台积电的N2和三星的SF2（以前称为SF3P）。然而，TechInsights使用一种有争议的方法来比较即将推出的节点的性能，因为它使用台积电的N16FF和三星的14nm工艺技术作为基准，然后添加两家公司宣布的节点间性能改进来做出预测。虽然这可能是一种估计，但它可能并不完全准确。

另一方面，英特尔专注于制造高性能处理器，因此18A可以针对性能和功率效率进行定制，而不是HD晶体管密度。最终，18A支持PowerVia，这是一种背面的电源分配网络，使用它的芯片可能在性能和晶体管密度上优于台积电的N2，后者不支持这种能力。然而，这并不意味着每颗18A芯片都会使用PowerVia。

在功率方面，TechInsights分析师推测，基于N2的芯片将比类似的基于SF2的芯片消耗更少的功率，因为台积电近年来在功率效率方面通常处于领先地位。至于英特尔，这还有待观察，但至少18A将在这一领域提供优势。

在今年1月6日的英特尔CES 2025演讲中，英特尔临时联席CEO Michelle Johnston宣布，首款Intel 18A制程芯片——英特尔Panther Lake处理器将于2025年下半年发布。Johnston还展示了PantherLake芯片的样品，并表示芯片已经在测试中，她对18A非常满意。Johnston宣布，Intel 18A制程将于“今年晚些时候发布”。她表示，“英特尔会在2025年及以后继续增强AI PC产品组合，向客户提供领先的英特尔18A产品样品，并在2025年下半年量产”。

新芯片阵容涵盖从用于轻度任务的Core 3到更强大的Core Ultra 200H，其中Core Ultra系列2是英特尔全新的高性能产品线，旨在提升两个关键领域的性能：电池续航时间以及运行人工智能功能的能力。

每款新的Core Ultra处理器提供低功耗（35瓦）、标准功耗（65瓦）和高功耗（125瓦）版本，核心数量在14到24个不等。部分型号还配备英特尔最新的Wi-Fi 7技术和内置存储器支持。

英特尔声称最新一代P-cores已通过AI驱动的电源管理和其他优化技术进行重新设计，而新款E-cores则是目前效率最高的版本。

此前，台积电宣布，其领先的2nm工艺已步入正轨，预计到2025年将实现大规模生产。这一先进工艺引起了苹果、NVIDIA等科技巨头的极大兴趣，预计将带来“历史最高”的市场需求。台积电的2nm工艺被市场广泛期待，被认为是科技市场的一场革命。该工艺承诺将带来显著的性能提升，有助于加速整个行业设备的计算能力。据透露，2nm工艺在创收方面有望超越台积电所有其他工艺节点。

台积电的上一代工艺，尤其是3nm和5nm，已经是市场上最受欢迎的产品。然而，2nm工艺有望取代它们，成为主流科技巨头争相采用的技术。据报道，台积电在5nm和3nm工艺的供应上已达到“100%利用率”，显示出其在半导体市场的领导地位。

据悉，苹果将是这一工艺的主要客户，预计将在其M5芯片上首次使用该工艺，该芯片将用于未来的Mac和iPad机型，以及下一代iPhone 18。此外，英特尔和NVIDIA也计划采用该工艺，英特尔可能会在其即将推出的“Nova Lake”CPU中使用，而NVIDIA将在其AI系列中使用，该系列将在Rubin架构之前推出。