钨、碲、铋、钼、铟出口管制，美国半导体产业或受冲击

据商务部网站2月4日消息，商务部、海关总署发布公告，公布对钨、碲、铋、钼、铟相关物项实施出口管制的决定。

公告称，根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》《中华人民共和国两用物项出口管制条例》有关规定，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，经国务院批准，决定对下列物项实施出口管制：

一、钨相关物项

（一）1C117.d．钨相关材料：

1．仲钨酸铵(参考海关商品编号：2841801000)；

2．氧化钨(参考海关商品编号：2825901200、2825901910、2825901920)；

3．非1C226项下管制的碳化钨(参考海关商品编号：2849902000)。

（二）1C117.c．具有下述所有特性的固态钨：

1．具有下述任一特性的固态钨（不含颗粒、粉末状）：

a．非1C226、1C241项下管制的钨及钨含量大于等于97%（按重量）的钨合金(参考海关商品编号：8101940001、8101991001、8101999001)；

b．钨含量大于等于80%（按重量）的钨掺铜(参考海关商品编号：8101940001、8101991001、8101999001)；

c．钨含量大于等于80%（按重量）的钨掺银（银含量大于等于2%）(参考海关商品编号：7106919001、7106929001)；

2．能被机械加工成任何下述任一产品：

a．直径大于等于120 mm、长度大于等于50 mm的圆柱体；

b．内径大于等于65 mm、壁厚大于等于25 mm且长度大于等于50 mm的管材；

c．尺寸大于等于120 mm×120 mm×50 mm的块状物。

（三）1C004 具有下述所有特性的钨镍铁合金(参考海关商品编号：8101940001、8101991001、8101999001)或钨镍铜合金(参考海关商品编号：8101940001、8101991001、8101999001)：

a．密度大于17.5 g/cm3；

b．弹性极限超过800 MPa；

c．极限抗拉强度大于1270 MPa；

d．伸长率超过8%。

（四）1E004、1E101.b．生产1C004、1C117.c、1C117.d项的技术及资料（含工艺规范、工艺参数、加工程序等）。

二、碲相关物项

（一）6C002.a．金属碲(参考海关商品编号：2804500001)。

（二）6C002.b．以下任何一种的碲化合物单晶或多晶制品（包括衬底或外延片）：

1．碲化镉(参考海关商品编号：2842902000、3818009021)；

2．碲化镉锌(参考海关商品编号：2842909025、3818009021)；

3．碲化镉汞(参考海关商品编号：2852100010、3818009021)。

（三）6E002 生产6C002项的技术及资料（含工艺规范、工艺参数、加工程序等）。

三、铋相关物项

（一）6C001.a．非1C229项下管制的金属铋及制品，包括但不限于锭、块、珠、颗粒、粉末等形态(参考海关商品编号：8106101091、8106101092、8106101099、8106109090、8106901019、8106901029、8106901099、8106909090)。

（二）6C001.b．锗酸铋(参考海关商品编号：2841900041)。

（三）6C001.c．三苯基铋(参考海关商品编号：2931900032)。

（四）6C001.d．三对乙氧基苯基铋(参考海关商品编号：2931900032)。

（五）6E001 生产6C001项的技术及资料（包括工艺规范、工艺参数、加工程序等）。

四、钼相关物项

（一）1C117.b．钼粉：用于制造导弹部件的钼含量（按重量）大于等于97%、颗粒尺寸小于等于50×10-6m（50μm）的钼及合金颗粒(参考海关商品编号：8102100001)。

（二）1E101.b．生产1C117.b项的技术及资料（含工艺规范、工艺参数、加工程序等）。

五、铟相关物项

（一）3C004.a．磷化铟(参考海关商品编号：2853904051)。

（二）3C004.b．三甲基铟(参考海关商品编号：2931900032)。

（三）3C004.c．三乙基铟(参考海关商品编号：2931900032)。

（四）3E004 生产3C004项的技术及资料（含工艺规范、工艺参数、加工程序等）。

出口经营者出口上述物项应当依照《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国两用物项出口管制条例》的相关规定向国务院商务主管部门申请许可。

本公告自发布之日起正式实施。《中华人民共和国两用物项出口管制清单》同步予以更新。

钨、碲、铋、钼、铟出口管制，半导体产业将受冲击

中国对钨、碲、铋、钼、铟实施出口管制，将对美国及全球半导体产业产生影响，从短期来看美国半导体产业面临供应链紧张和成本上升，并且短时间内难以找到替代供应。

钨具有高熔点、高硬度和良好的导电性等特性。在芯片制造中，常被用于制作互连结构中的金属布线、通孔填充等。在先进的半导体制造工艺中，钨常被用于3D封装技术中的硅通孔（TSV）填充，实现不同芯片层之间的电气连接。除此之外，钨与光刻机也有密切关系，安泰科技曾透露其一种钨合金产品可用于国外某型号光刻机设备中，并且是该型号光刻机的关键核心部件。虽然没有明确说明具体用途，但有猜测可能是用于光刻机的一些高精度、高要求的部件，如承载晶圆的工作台、光路系统中的某些结构件等，保证光刻机的精度和稳定性。

碲通常以碲化镉（CdTe）等化合物的形式应用于特殊半导体器件中。碲化镉具有良好的光电性能，可用于制造光电探测器、太阳能电池等与芯片相关的光电器件。在新型的光通信芯片或图像传感器芯片中，利用碲化镉的光电特性可以实现光信号到电信号的高效转换。例如在高端天文观测设备中的图像传感器芯片里，会用到含有碲的化合物来提高对微弱光线的探测能力。

铋主要应用在特殊的半导体材料和工艺中。在新型低维半导体材料研究中，铋也被用于探索新的材料体系和器件结构。其中，铋烯具有独特的电子结构和物理性质，未来可能会被应用在纳米电子器件和量子比特等芯片相关领域。

钼具有高熔点、低热膨胀系数和良好的机械性能等特点。在芯片制造中，钼常被用于制作半导体器件的电极、互连层和阻挡层等。尤其是在汽车芯片中，使用钼来制作电极，能够满足恶劣环境下对芯片可靠性的要求。

铟主要用做特殊的半导体材料和连接材料，例如高速通信芯片、光探测器等器件中。此外，铟还在封装中承担连接材料的角色，实现芯片与外部电路的电气连接和机械固定。在5G通信基站的光模块芯片中，使用铟镓砷材料来制作光接收和发射器件，可以实现高速率的光信号传输和处理。