三星第六代10nm DRAM量产推迟半年

据业内人士透露，三星电子1c DRAM开发面临困难，2024年年底推出了第一款可运行的芯片，但它的产量并未达到预期，开发阶段投入量产的良率通常为60-70%。

随着半导体产业迈入10nm级别，DRAM技术难度加大，线宽不再以具体数字来表示，而是以字母符号或代数来表示。10nm级DRAM工艺技术正在按照以下顺序开发：1x（第一代）-1y（第二代）-1z（第三代）-1a（第四代）-1b（第五代）-1c（第六代） 。随着代数的提升，线宽越来越窄，单个晶圆上能够生产的DRAM就越多，越接近 1c，这个过程就越困难。

据悉，三星电子内部已经将1c DRAM成品率提升至70%左右的开发目标推迟半年，从2024年12月修改为2025年6月。按照惯例，一代产品发展周期为18个月左右。2022年12月，三星电子宣布开发出10nm级第五代（1b）DRAM，并于2023年5月量产，但此后便没有1c DRAM的消息。

如果1c DRAM的开发延迟，量产自然也会延迟。如果按从开发到量产的时间约半年计算，预计三星电子要到今年年底才能够量产1c DRAM。2024年3月，三星电子在美国硅谷举行的全球半导体会议“MemCon 2024”上公开了其下一代DRAM路线图，并宣布计划在2024年底左右量产1c DRAM。目前来看，这一计划是无法实现了。

量产延迟也将影响到三星电子的HBM研发。就1c DRAM而言，开发核心产品往往是DDR5，但衍生产品HBM的开发晚于核心产品。如果核心产品在今年年底投入量产，这意味着 HBM4 的量产可能会延续到今年以后。此前三星电子宣布将把1c DRAM技术应用于HBM4，并于今年下半年开始量产。

知情人士表示，“据我们了解，三星电子正在对1c DRAM的设计进行部分修改，将尽可能提前开发时间”。

与此相应，SK海力士宣布将率先量产第六代10nm DRAM。

近日，SK海力士宣布将于2025年2月在全球率先采用10nm级第六代（1c）精细工艺量产DRAM。目前，SK海力士已经完成了1c DDR5的量产认证。量产认证又称批量资格认证，是指连续几个批次（基本生产单位，1批次为25片晶圆）的生产结果全部满足质量及良率要求，可以进行全面量产时，颁发的认证证书。

SK海力士CTO兼未来技术中心副总裁车善勇在全体会议上表示，“一旦1c DDR5管理从开发部门转移到制造部门的过程完成，就将于2月初开始全面量产。”

SK海力士通过扩展1b DRAM的平台开发了1c，可以有效地将1b的优势转移到1c，同时减少反复试验。1c DDR5将主要应用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（千兆位每秒），比上一代快11%，电源效率提高了9%以上。同时，SK海力士还计划将1c技术应用于其未来的第7代高带宽存储器HBM4E。

考虑到从开发到量产至少需要六个月的时间，即使竞争对手现在开发出10nm级的第六代DRAM，也将比SK海力士落后至少六个月。

除了SK海力士，美光也在积极布局1c DRAM。此前，美光中国台湾地区董事长卢东晖曾表示，新一代的1c制程是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，将在2025年上半年先在台中厂量产。

美光对1c工艺的DRAM芯片寄予厚望，希望能借助EUV技术构建业界最小的DRAM单元，制造出业内最便宜且更节能的存储产品，这可以让其在存储芯片的竞争中获得优势。目前试产工作正在美光位于日本广岛的工厂中进行，作为试产计划的一部分，首批采用1c工艺的存储产品也会在这里制造。

值得注意的是，如果美光能够如期完成1c DRAM的开发，那么三星电子将成为三大厂商中最后一位完成1c DRAM开发的厂商。

目前SK海力士和美光相继完成了量产1bDRAM，而三星电子在研发1bDRAM的时候却受到阻碍。为了在技术上领先对方，并与这两家公司拉开差距，三星电子要求其研究人员停止或跳过1bDRAM的开发，开始进行第六代1cDRAM的开发。如果在这一研发进程中，再度失去先机，那么对于三星电子可能会造成不少影响。