美光在HBM和DRAM领域的快速增长令韩国竞争对手感到不安

美光科技在全球半导体领域正处于奋力追赶与崛起的关键阶段。长期以来，在全球存储器半导体市场，美光稳居第三，排在韩国三星电子和SK海力士之后。不过，近年来它通过聚焦高带宽存储器（HBM），成功吸引诸多目光，展现出强劲的发展势头。

在HBM技术研发进程中，美光不走寻常路，跳过HBM3代，直接进军HBM3E。2024 年 2 月 26 日，其率先宣布量产8层HBM3E芯片，一举超越韩国竞争对手，抢占先机。而当下，美光更是快马加鞭，有报道称其正筹备于今年实现16层HBM3E芯片的量产。现阶段，美光已为英伟达的AI半导体供应8层HBM3E芯片，尽管相较于SK海力士，市场份额尚小，SK海力士凭借12层HBM3E芯片暂居领先地位。但美光毫不示弱，全力以赴，力求在今年晚些时候与SK海力士近乎同步推出16层产品。

据业内人士透露：“美光正在紧锣密鼓地对量产设备展开最终评估，并且在关键制造工具上投入巨额资金。”SK海力士去年11月已着手为16层HBM3E量产布局，其目标是在2025年上半年实现16层HBM3E的商业化。这意味着公司需要在短时间内完成从量产到市场推广的全过程，以抢占市场先机。三星也有自身规划，计划在今年内攻克HBM3E技术开发的相关难题，以提升其产品的性能和竞争力。分析师大胆预测，美光在HBM市场的份额有望实现大幅跃升，去年仅为个位数，到2025年或许将突破至两位数。

于高端智能手机领域，美光同样斩获佳绩。令人瞩目的是，它取代三星自有半导体，成功跻身首批Galaxy S25旗舰智能手机的主要内存供应商之列。这堪称里程碑式突破，毕竟此前从未有三星之外的公司能在Galaxy系列手机内存供应上拔得头筹。美光凭此契机，进一步拓展市场版图，提升品牌影响力。

韩国半导体行业一位官员表示：“美光以往在商品DRAM领域虽稳坐第三把交椅，但如今在HBM以及低功耗下一代内存等定制半导体领域高歌猛进，取得诸多重大进展。韩国国内半导体公司起初并未将美光视作强劲敌手，现今不得不密切留意其一举一动。”

HBM技术的核心在于堆叠DRAM层，层数越多，性能越卓越。美光深知此道，持续发力。不仅如此，在低功耗DRAM领域，美光也赢得认可，这可是半导体行业的又一核心战场。美光预计将为三星Galaxy S25提供大部分初始内存芯片，其所依仗的LPDDR5X芯片，据说在能效与性能方面双双超越三星自家产品。

再看美光的整体DRAM市场份额，呈现稳步攀升态势。依据TrendForce统计数据，2024年第三季度，美光的DRAM份额从上一季度的19.6%跃升至22.2%。与之形成对比的是，三星和SK海力士的份额略有下滑，分别为41.1%和34.4%。

美光历来被视作美国半导体产业的骄傲象征，然而，与韩国同行相较，它长期受困于资金短缺与生产能力受限难题。转机出现在2022年，美国《芯片与科学法案》落地实施，美光借此东风，得以大幅追加投资。去年，美光从美国商务部揽获61.65亿美元补贴，作为其在爱达荷州和纽约州高达1250亿美元设施投资的一部分。本月早些时候，美光又重磅宣布，计划在新加坡Woodlands斥资70亿美元兴建一座先进封装工厂，专门用于生产HBM，未来将为英伟达和博通供货。此外，其还规划在2027年前于日本广岛开设一家HBM生产工厂。随着系列投资计划逐步落地，美光的HBM生产能力有望迎来爆发式增长，预计从2024年底的每月20,000片晶圆扩充三倍，至2025年底达到每月60,000片晶圆。

尽管美光一路奋进，成绩斐然，但想要真正缩小与SK海力士、三星的差距，依然前路崎岖。当前，其产能与占据第二代至第四代HBM市场主导地位的韩国巨头相比，仍存在较大落差。而且，稳定量产工艺、提升良率，依旧是横亘在美光面前的关键挑战。正如一位业内人士所指出的：“美光的HBM设施要到2027年才能全方位投入运营，况且当下还深陷成品率问题泥沼。”未来，美光能否冲破重重阻碍，实现弯道超车，在全球半导体市场站稳脚跟，值得持续关注。