
12月27日,俄罗斯服务器供应商Graviton宣布推出其首款搭载本土自研处理器的AI和高性能计算(HPC)服务器。该设备可支持多达八块计算GPU,用于处理人工智能和超级计算机的工作负载。
据悉,该处理器型号为S2124B,基于两颗未公开的48核CPU,主频为2GHz,配备DDR4-3200内存,硬盘支持12块SATA或12块NVMe U.3。
通过处理器的基本规格,有消息称其可能采用的是贝加尔电子(Baikal Electronics)的BE-S1000服务器级芯片,该芯片集成了48个Arm Cortex-A75核心,并支持2路和4路对称多处理(SMP)配置。但这款BE-S1000与其它版本不同,CPU主频降低了500MHz,可能是其设计由台积电16FFC工艺转向了其它代工厂的原因,也可能是是贝加尔为了提高良率或降低功耗而降低了工作频率。
至于使用的GPU,Graviton并未公布,但是根据性能数据推算,每张加速卡的性能数据大约是FP64 60 TFlops、FP8 3340 TFlops、INT8 3340 Tops,这与英伟达的H100 PCIe GPU很是相似。
目前Graviton S2124B服务器已开放订购,同时邀请客户申请测试机会,但其价格尚未公布。
Graviton服务器和网络系统负责人亚历山大·菲尔琴科夫(Alexander Filchenkov)表示:“我们一直以及时提供满足市场需求的IT解决方案为傲,这一次,我们成功开发并制造了使用本土处理器进行复杂计算的关键服务器。这款产品是推进本土计算技术的重要一步,将使我们的客户能够高效地应对数据处理挑战。”
俄罗斯自研芯片突破:48核Baikal-S处理器上市
11月28日,俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·施帕克宣布,俄罗斯已获得首批自研Baikal-S处理器,共计1000颗,每颗均配备48核心。这批处理器将分发给开发者及服务器厂商,旨在推动相关产品的研发。
Baikal-S处理器基于Arm Cortex-A75架构,具备最高48个核心、24MB三级缓存,频率范围在2.0至2.5GHz之间,热设计功耗为120W。这款处理器的主要特点包括六个72位内存控制器,支持最多768GB DDR4-3200 ECC内存,以及五个PCIe 4.0 x16扩展通道。此外,它还配备两个千兆网络控制器和一个USB 2.0控制器,能够有效满足现代计算需求。
在性能方面,Baikal-S的最高计算能力可达358FP64 GFlops(每秒3580亿次双精度浮点计算),相当于Intel Skylake架构的20核心至强金牌6230处理器和AMD Zen架构的16核心EPYC 7351。
Baikal-S处理器由Baikal Electronics研发,原计划采用台积电16FFC 16nm工艺,并预计在2025年前实现年产60万颗的规模。然而,由于中途与台积电分道扬镳,供应链中断,该处理器在预生产阶段便遭遇困境,导致俄罗斯未能获得任何量产芯片。
去年,一家俄罗斯公司为其Baikal-S推出一款用于存储系统的主板。该主板名为ET113-MB,可提供6路72bit存储接口,支持最大768GB DDR4-3200 ECC内存(单通道128GB),还有5条PCIe 4.0x16插槽,并提供了一个USB 2.0控制器、两个千兆网口,还有3个SATA以及四个U.2等各种通用I/O接口。
尽管施帕克未透露这批处理器的来源,但暗示未来将有更多批次陆续交付。这表明俄罗斯在自研处理器领域正逐步取得进展。
俄罗斯自研芯片突破:自研EUV光刻机
最近,俄罗斯公布自主开发EUV光刻机的路线图,目标是比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。
据悉,俄罗斯的自主光刻机采用11.2nm的激光光源,而不是ASML采用的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不兼容,需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统,这可能需要十年或更长时间。而且EDA工具也需要进行更新,虽然现有EDA工具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本步骤,但涉及曝光的关键制程,如光罩数据准备、光学邻近校正(OPC)和分辨率增强技术(RET),则需要重新校准或升级为适合11.2nm的新制程模型。
该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导,整体开发工作将分为三个阶段。第一阶段将聚焦于基础研究、关键技术识别与初步元件测试;第二阶段将制造每小时可处理60片200毫米晶圆的原型机,并整合至国内芯片生产线;第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统,每小时可处理60片300毫米晶圆。
Chkhalo 表示:“11.2nm波长的分辨率提高了20%,可以提供更精细的细节,同时简化设计并降低光学元件的成本。”俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂,预期在较短波长下将具备更出色的性能表现。虽然这种光刻机产量仅为ASML设备的37%,但因其光源功率仅3.6千瓦,性能足以应付小规模芯片生产需求。
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