多家芯片龙头获得美国第三代半导体补贴

受新能源、5G、光伏等下游应用的带动，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体产业发展迅猛，各大半导体厂商纷纷积极布局第三代半导体，同时包括美国在内的各国纷纷加大补贴力度，推动第三代半导体产业发展。

博世将获得 2.25 亿美元碳化硅生产芯片补贴

日前，美国商务部表示，已与德国汽车零部件供应商博世（Bosch）达成了一项初步协议。美国商务部将为博世提供高达2.25亿美元的补贴，用于在美国加州生产对电动汽车至关重要的碳化硅功率半导体。

美国商务部表示，博世计划投资19亿美元改造该公司位于美国加州Roseville的制造工厂，以生产碳化硅功率半导体，而美国商务部的这笔2.25亿美元补贴则将对该计划给予支持。美国商务部还将为博世的这项计划提供约3.5亿美元的拟议美国政府贷款。

博世预计，将从2026年开始在Roseville工厂生产首批基于200毫米晶圆的芯片。博世北美总裁Paul Thomas在一份声明中表示：“对Roseville工厂的投资使得博世能够在美国当地生产碳化硅半导体，从而支持美国汽车行业的电气化转型。”

碳化硅芯片是汽车、电信和国防工业的关键零部件。美国商务部表示，碳化硅芯片消耗的能源更少，对提高电动汽车的驾驶和充电效率至关重要。同时，美国商务部表示，当博世Roseville工厂满负荷运转时，该项目或将占美国碳化硅芯片产能的40%以上。

参与起草2022年美国《芯片与科学法案》的加州民主党议员Doris Matsui表示，博世获得的美国政府资金将使该公司能够制造“推动清洁交通、电动汽车和其他清洁能源技术发展的关键零部件”。

2023年，博世收购了总部位于加州的TSI半导体公司的关键资产，并表示生产碳化硅芯片将严重依赖美国联邦政府的资助机会。

目前，美国商务部正利用一笔527亿美元的资金，为2022年美国政府批准的半导体生产和研究项目提供补贴。美国商务部的官员们正争取在美国下一任总统特朗普就职前敲定主要贷款项目的条款。

Wolfspeed获得7.5亿美元用于北卡罗来纳州工厂建设

美国芯片制造商Wolfspeed有望从美国政府获得7.5亿美元的拨款，用于在北卡罗来纳州建设新的碳化硅晶圆制造工厂。

美国商务部指出Wolfspeed必须采取额外措施加强其财务状况，以确保纳税人资金的安全。

与此同时，Wolfspeed还从一个投资基金联合体获得了额外7.5亿美元的新融资承诺。这个联合体包括知名机构如Apollo Global Management、Baupost Group、Fidelity Management & Research Company和Capital Group。

Wolfspeed的客户包括汽车巨头通用汽车公司和Mercedes-Benz，专门生产基于碳化硅的芯片。

公司还披露了扩大其位于纽约州Marcy的碳化硅设备制造工厂的计划，旨在将生产能力提高约30%。这些举措是Wolfspeed全面60亿美元产能扩张战略的一部分。

Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，这一公告反映了公司在市场上的领导地位以及对美国经济和国家安全的战略重要性。此外，Wolfspeed预计将通过Chips and Science Act下的"48D"先进制造税收抵免获得10亿美元的现金税收返还。

与商务部和贷款方的融资安排包括在2026年、2028年和2029年到期的可转换债券到期前进行重组或再融资。此外，公司将推迟支付截至6月30日到期的1.2亿美元现金利息，并计划在未来一年内从非债务来源筹集高达3亿美元的资金。

尽管今年公司股价因电动汽车需求下降而大幅下跌，Wolfspeed仍在推进其在北卡罗来纳州Chatham县占地200万平方英尺的碳化硅晶圆工厂建设，该工厂最初于2022年宣布。公司对于在2025年夏季前从该工厂交付晶圆以满足其芯片制造需求持多方态度。

来自527亿美元半导体补贴计划的这笔拨款仍需进行尽职调查，尚未最终确定。

GlobalFoundries 获得美国额外 GaN 开发补贴

12月初，格罗方德（GF）在其官方网站上宣布，已获得美国政府950万美元的资助。这笔补贴旨在推进格罗方德位于佛蒙特州埃塞克斯交界处的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体生产。

借助这笔资金，GF 将进一步增强其 GaN IP 产品组合，并增加用于可靠性测试的新工具、设备和原型开发能力。这将使 GF 更接近在佛蒙特州全面生产 8 英寸 GaN 芯片。

据悉，格芯自2020年起获得美国政府大量资金支持，用于支持GaN芯片的研发和规模化制造。2023年10月，格芯宣布已获得美国政府3500万美元联邦资金。

业务拓展方面，格芯于今年7月收购泰戈尔科技GaN功率产品组合，并在印度加尔各答设立功率中心，与格芯佛蒙特州晶圆厂紧密合作并提供支持，助力格芯在GaN芯片研发与量产方面的进步。