华为哈勃出手，半导体材料

华为旗下哈勃投资再次入股了一家半导体厂商——北京清连科技有限公司（以下简称“清连科技”）。

近日，清连科技工商信息发生变更，新增深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）、苏州工业园区元禾新烁创业投资合伙企业（有限合伙）、平潭冯源威芯股权投资合伙企业（有限合伙）等为股东，同时注册资本由约347.1万元增至约406.5万元。

据天眼查信息显示，哈勃投资为清连科技第八大股东，持股比例1.0542%。

清连科技相关人士表示，该公司本轮融资主要是用于建设银/铜烧结产品生产线，提升银/铜烧结产品与设备的量产能力等，为后续进行大规模量产做准备。

有封装材料行业内人士表示，产线设备方面，其中，烧结机建设费用因规格和型号不同而有所差异，加上配套的加料系统等，每条产线的建设费用在千万元级别。

清连科技致力于提供高性能功率器件高可靠封装解决方案，团队依托近20年纳米金属烧结材料与封装设备研发基础，开发了全系列银/铜烧结材料与配套解决方案。其中，具有独立知识产权的银烧结产品已通过车规级认证并形成批量订单，铜烧结产品已成功向国内外众多头部客户提供制样并完成验证，是国内外极少数掌握铜烧结全套解决方案（封装材料+封装设备+工艺开发）的硬科技公司之一，有望改变第三代半导体封装用纳米金属烧结技术从跟跑到领跑的行业格局。

清连科技核心研发团队均博⼠毕业于清华⼤学，并与北京工业大学形成战略合作，是国内外最早研究银/铜烧结技术团队之⼀。同时清连科技还聘请了头部车企资深质量经理担任产品质量安全总监，有望加速实现⾼端封装材料与装备全国产化替代。

据悉，银/铜烧结技术是清连科技的主要技术，也是以碳化硅为代表的高性能功率器件芯片封装的核心技术，技术门槛很高。随着新能源汽车高速发展，以碳化硅为代表的第三代半导体功率半导体市场需求同步提升，推动封装材料渗透率增加，站在三重红利风口下，清连科技也有望在功率、射频、光电等多领域进一步拓展。

北京布局第三代半导体材料

据报道，北京晶格领域半导体有限公司（以下简称“晶格领域”）和北京中博芯半导体科技有限公司（以下简称“中博芯公司”），两家企业在第三代半导体材料研发方面均有所突破，相关产品有效填补了市场空白，为半导体行业发展注入新动力。

位于北京顺义的晶格领域采用的液相法碳化硅单晶生长技术，可有效解决这些瓶颈问题，目前已成功制备出P型及3C-N型碳化硅衬底产品。

晶格领域副总经理郭黛翡介绍，相较于PVT方法，液相法技术具有高质量、低成本、易扩径等显著优势，基于该技术开发的P型碳化硅衬底，适用于高压大功率器件，尤其是上万伏的超高压器件；而3C-N型碳化硅衬底则在1200伏以下的碳化硅MOSFET器件中表现出色。

目前，全球范围内，晶格领域是P型碳化硅衬底和3C-N型碳化硅衬底的唯一供货商。郭黛翡表示，这两种产品不仅填补了市场空白，还为促进碳化硅技术发展，提高器件可靠性、简化工艺流程提供了有力支持。

晶格领域总经理张泽盛介绍，公司已在北京顺义建成一条液相法SiC衬底中试线，同时6-8英寸小规模产线也已初步建成并已投入使用。预计至2025年初，公司将具备年产2.5万片碳化硅衬底的生产能力。年产27万片碳化硅衬底的规模化产线也在规划布局中。

中博芯公司的技术源自北京大学宽禁带半导体研究中心，主要从事GaN基半导体材料、器件的研发和产业化推广。在氮化镓（GaN）晶圆外延领域，中博芯公司取得了显著的技术突破，实现了6/8英寸Si衬底上GaN基功率电子、射频电子晶圆的批量生产。

中博芯公司总经理张立胜介绍，在电源管理方面，氮化镓功率电子器件可用于手机快充、新能源汽车、光伏储能等；在高频通信领域，氮化镓可用于生产射频功放芯片和滤波器。目前，公司已与华为等知名企业达成合作，采用氮化镓射频芯片后，华为手机实现了芯片体积减小、信号处理能力增强等效果。

为满足市场需求，中博芯公司投入超过一亿人民币建设生产车间，配备了4条晶圆外延线，能够处理2至8英寸的氮化镓晶圆材料生产，目前6-8英寸的晶圆年产能为1.5万片左右，融资后有望扩大到3万片以上，实现盈亏平衡。

中博芯公司还是国内率先实现6英寸氮化镓射频功放晶圆出口的中国企业。张立胜透露，今年超过1500万元的收益中，出口订单的收益占到60%-70%。而在国内市场，随着明年产能和客户的大幅增长，公司国内的销售额可翻1-2倍。