
12月17日,美国拜登政府宣布,美国商务部根据《芯片与科学法案》激励计划,将向半导体硅片大厂环球晶圆美国子公司——GlobalWafers America, LLC和 MEMC LLC发放4.06亿美元的直接资金激励。这些激励是在2024年7月17日宣布的初步条款备忘录以及尽职调查完成之后颁发的。美国商务部将根据环球晶圆子公司完成各项专案里程碑的情况,于数年内分次发放该项补助。
据悉,这笔资金将用于直接环球晶圆在克萨斯州和密苏里州半导体硅片制造工厂的建设。这笔总计40亿美元的投资项目将为美国两州创造约1700 个建筑岗位和880个制造业岗位。
位于德克萨斯州的 GWA 工厂将是美国第一家大批量300毫米硅晶圆工厂,其生产的硅晶圆将用于制造先进的尖端设备和存储设备。而位于密苏里州的MEMC 工厂则将成为300 毫米绝缘体上硅晶圆的主要生产基地,其生产的硅晶圆将成为国防和航空航天领域设备的关键原料。
除此之外,合同条款中还规定了环球晶圆将其位于德克萨斯州谢尔曼的现有硅外延片制造工厂的一部分改造为碳化硅外延片制造工厂。碳化硅外延片是高压应用的关键部件,尤其是电动汽车和清洁能源基础设施。
2024年美国商务部的晶圆厂“撒钱”史
2022年8月9日,美国拜登总统正式签署了《创造有益的半导体生产激励措施(CHIPS)和科学法案》,规定在未来十年内投入2800亿美元,其中约有527亿美元用于半导体制造、研发和劳动力发展,另有240亿美元的芯片生产税收抵免。
据了解,目前520亿美元的补助已发放过半,接下来我们就来看看美国商务部今年在晶圆厂领域都补助了哪些项目?
GlobalFoundries获得15亿美元补助
2024年2月19日,美国商务部宣布,根据美国《芯片和科学法案》计划向GlobalFoundries直接注资15亿美元。
GlobalFoundries是唯一一家总部位于美国的纯晶圆代工厂,获得的15亿美元补助将用于支持GlobalFoundries的三个项目:
· 扩建位于纽约州马耳他的现有工厂,增加在其它工厂已投入生产的关键技术;
· 在马耳他园区的现有园区基础上扩建一座晶圆厂,并在未来10年内将现有产能提高两倍,晶圆产量提高到每年100万片。
· 改造位于佛蒙特州埃塞克斯交界处的Trusted 200mm工厂,升级现有设施,扩大产能,并新建一家大批量生产下一代氮化镓(GaN)半导体的工厂。
台积电获得66亿美元补助
2024年4月8日,美国商务部与台积电亚利桑那州工厂签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),根据《芯片与科学法案》直接提供高达66亿美元的资金。
获得补助后,台积电宣布计划在亚利桑那州建造第三座晶圆厂。目前台积电亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年9月试产,采用4纳米制程技术;第二座晶圆厂除了之前宣布的3纳米技术外,还将采用2纳米制程技术,并将于2028年开始生产;第三座工厂预期2030年开始生产,将采用2纳米或更先进的A16工艺生产芯片。
三星获得64亿美元补助
2024年4月15日,美国商务部根据《芯片与科学法案》向三星直接提供高达64亿美元的资金。
获得这笔资金后,三星将在美国泰勒工厂新建第二座晶圆厂,并采用最先进的2纳米工艺。同时,第一座晶圆厂也会将之前的4纳米工艺升级到2纳米工艺。建设完成之后,英特尔、台积电和三星都将在美国提供他们最先进的制造工艺。
除此之外,三星还将扩建位于奥斯汀的现有工厂,并将把FD-SOI工艺带到奥斯汀工厂。
美光获得61亿美元补助
2024年4月25日,美国商务部与美光达成初步协议,根据《芯片和科学法案》提供高达约61.4亿美元的直接资金,用于美光在纽约州克莱建造两座晶圆厂,在爱达荷州博伊西建造一座晶圆厂。
协议中纽约州克莱建造的两座晶圆厂是建设计划中四座“超级晶圆厂”的前两座,每座晶圆厂将拥有60万平方英尺的洁净室,未来将专注于生产尖端的DRAM芯片。而在爱达荷州博伊西则是建设一座高产量制造(HVM)晶圆厂,与美光现有的尖端研发设施共址,同样生产尖端的DRAM芯片。
博世获得2.25亿美元补助
2024年12月13日,美商务部宣布与博世公司签署一份不具约束力的初步条款备忘录,将根据《芯片与科学法案》提供高达2.25亿美元的拟议直接资金,支持其改造位于加州罗斯维尔的制造工厂,用于生产碳化硅功率半导体。博世预计将从2026年开始在该工厂生产首批200毫米晶圆芯片。此外,CHIPS 计划办公室还将根据PMT向博世提供约 3.5 亿美元的拟议贷款。
加州罗斯维尔晶圆厂是博世在美首个半导体生产基地。该改造项目耗资 19 亿美元,将导入最先进的碳化硅生产工艺。美国商务部表示,该晶圆厂满载时有望生产博世绝大部分碳化硅半导体,并占到美国碳化硅器件总产能的 40% 以上。
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