韩国21名芯片工程师被逮捕!

来源:半导纵横发布时间:2024-12-05 15:02
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一名三星电子前工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才,加上向中国成都高真科技(CHJS)泄漏 20 奈米 DRAM 存储器芯片技术,遭逮捕并移送检方。

首尔警察厅产业技术安全侦查队近日指出,64岁三星电子(Samsung Electronics)前工程师因涉嫌违反”职业安定法”被捕,并移送首尔中央地方检察厅。

该男曾以顾问身分参与创立成都高真公司,同时期还在韩国成立猎头公司,以至少两三倍的优渥薪资挖角三星核心技术人才,协助中国“复刻”动态随机存取存储器(DRAM)工厂,并2022年4月成功生产半导体晶圆。

这座DRAM工厂从完工到投产仅费时一年三个月。一般来说,晶圆从测试到量产通常需要四至五年。

韩国警方提到,外流技术的经济价值高达4兆3,000亿韩元,若考虑相关经济效益,实际损失规模更加庞大。

除了这名前工程师,还有以相同手法挖角韩国半导体人才的两位猎头公司代表及法人被移送法办。据悉猎头公司已替成都高真挖角逾30名技术人员。

尽管韩国国家关键技术外流,警方只能根据刑责较轻的“职业安定法”、而非“产业技术保护法”来逮捕涉案嫌犯。警方解释,根据现行法规,以“挖角”方式外流技术的行为不属于”产业技术保护法”规定的惩处范围,因此有必要修法相关法律,以严惩商业间谍。

包括前三星工程师,成都高真技术外泄案共21人遭移送法办。成都高真创办人、三星电子前常务兼SK海力士(SK Hynix)前副社长崔珍奭等人已被捕,涉嫌违反”产业技术保护法”及”防止不正当竞争及商业祕密护法”。

据了解,崔博士在韩国半导体业界名气很大。根据韩国NAVER门户网站上面人物词典的介绍,崔博士历任三星电子技术开发部首席研究员、常务理事、海力士半导体专务理事、副社长、STX SOLAR 社长、韩和集团制造部门运营创新总括社长等职,并在多所大学担任过教职。他从三星电子转职海力士,依靠研发和管理能力帮助危机重重的海力士业务走上正轨的案例,堪称韩国半导体发展史上的经典。

2018年的时候,美国商务部以威胁美国国家安全为由,宣布制裁中国福建晋华集成电路有限公司,美国公司不得向其出售软件、技术和产品。崔珍奭表示,此次事件的核心是世界最大的存储半导体进口国积极开发DRAM产品的决心与相关技术保有国确保技术领先优势的斗争,其具体表现就是美光公司与福建晋华及其技术合作方台湾联华电子的技术纠纷。

崔博士表示,DRAM开发相较NAND RAM对技术完成度要求更高。而技术能力不是一朝一夕之事,需要相当长时间的积累,在这一土壤中成长起来的核心产业才能带来巨大的经济效益。从目前情况看,对于中国最急迫的问题是实现企业的技术独立,为实现这一目的,必须要采取多方面措施,既包括企业自身内部的革新,也要努力寻求外部输血,与拥有尖端技术的海外公司开展积极合作。

崔博士强调,中国并不缺乏资金和设备,也有庞大的市场作为支撑,目前缺乏的是技术。他说,内存企业需要确定正确的技术路线,需要迭代研发制程工艺,对人才的需求是非常迫切的。他表示,核心技术没有捷径,相信中国企业能够直面差距,着眼长远,解决好左右未来发展的瓶颈问题。

值得注意的是,此次事件并非孤立的个案。近年来,半导体领域商业泄密案件陡增。

此前便有一名在华韩国侨民因涉嫌窃取中国芯片技术机密,触犯《中华人民共和国反间谍法》而被逮捕。

这名韩国公民A曾是韩国芯片巨头三星电子的员工,在中国连续就职于多家知名芯片企业,而他所涉罪行却是以“商业交流”为幌子,暗中向韩国传递中国芯片核心技术情报。中国外交部发言人10月29日的记者会上确认了这一事实,向外界清晰表明中国对间谍行为“零容忍”的强硬态度。

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