三星1、2 代3nm工艺良率仅60%、20%，年内恐大面积更换半导体高管

11 月 7 日消息，韩媒当地时间今日报道称，三星电子第 1、2 代 3nm 工艺（即 SF3E-3GAE 与 SF3-3GAP）目前良率分别为 60% 和 20% 左右。

这一水平未达到高通、英伟达等主要潜在客户提出的 70% 要求，导致三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单，进而影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。

韩媒表示，作为一家某种意义上算是 IDM 的企业，三星 DS 部的三大业务部存储器、系统 LSI、Foundry 实际上环环相扣：

系统 LSI 设计的自家 Exynos 处理器如能由 Foundry 顺利制造，则对外界证明了 Foundry 的技术水平，这会吸引外部客户选择三星逻辑代工 + HBM + 先进封装“交钥匙”方案，存储器业务部的先进 HBM 内存自然不愁销路。

而三星电子目前未能实现这一良性循环，导致半导体业务整体处于危机状态。

韩媒认为三星电子 DS 部将在集团年度管理层调整中经历高管大洗牌，三大业务部的负责人均可能被更换。同时这一调整预计于本月内进行，早于常例的 12 月初。

三星电子今年 5 月出人意料地在年中就更换了 DS 部总负责人，由全永贤接替庆桂显。