电源设计的优化是电子系统设计中的核心任务之一，它直接影响到产品的性能指标、可靠性和用户体验。尤其是在高速、高密度和低功耗的设计趋势下，电源设计的重要性愈发凸显。只有通过深入理解电源系统与高速逻辑器件的交互，才能设计出高效、稳定的电源解决方案，满足日益复杂的电子设备需求。

我们直接从实际应用出发，先把电源转化的一些基本需要考虑的事项简单说明一下，以下几点完全是自己在产品设计中会考虑的几个方面，不保证全面，只能作为参考。

目前常见的单片机系统大多都 3.3V供电，所以我们主要就围绕着如何产生3.3V的电压来讨论。

我这里以 UMW(友台半导体)型号： AMS1117-3.3 资料为例：

①、LDO还是 DC/DC

老生长谈的问题，选择 LDO 还是 DC/DC。

这个问题网上有很多博文，都针对性的探讨过，我临时百度了一下，找了几篇写得还可以的推荐给大家：

LDO和DC-DC有什么不同？如何选型?

电源芯片选择DC/DC还是LDO？

多余的话不说，理论的东西大家多看看文章

我只讲讲在实际中我是如何选择 LDO 还是 DC/DC的，仅供参考：

②、最大输入电压

输入电源可能有 5V 、9V 、 12V 、24V甚至更高。

首先方案输入电压定下来以后那么在选择电源转换芯片的时候第一个关注的点就是最大输入电压，那么我们选型的时候首先就需要注意一下芯片手册上给出的DC input Voltage（最大输入电压）。

AMS1117-3.3 最大支持18V输入。

通过输入电压与输出电压这两个参数，我们可以选中很多很多备选的芯片。

一般来说，DC/DC芯片比LDO 能够支持的输入电压更大。

③、压差

相比输入电压，Low Dropout Voltage 压差这个概念一般会被人忽略，这个概念是什么意思呢？

就是说你要产生想到的输出电压，输入电压与输出电压是必须具备一定的差值，就是输入电压至少要比输出电压大多少的意思。

从手册可知，意味着想要输获得3.3V-1A的功率输出，在不考虑温度等其他影响条件下，VIN至少要等于3.3+1.2=4.5V。

那为什么会有压降呢？

可以看到LDO是靠一个PMOS管的导通大小来控制输出的，运放用来控制导通多少。

由此可以看出输入和输出压差越大，PMOS管导通越小，所以LDO芯片越烫，这也就是为什么有最大电压限制的其中一个原因。

因为MOS管有导通条件的原因再加上有导通电阻，电流大了压降不就来了嘛。

这个问题虽然不经常遇到，但是博主还确实遇到过，很早的时候有一次在使用24V转5V，然后5V转3.3V 的普通电路中，在5V的出口加了一个二极管，为了起一定的保护作用，最开始使用的不是肖特基二极管，直接用了一个4148，那么压降在0.7V以上，所以导致 5V 转3.3V电路不正常 = =！后来换成肖特基二极管，使得压降没那么大，才解决问题！简单容易出问题啊！

一般来说，LDO的Low Dropout Voltage 比 DC/DC 的小得多。

④、电流

电流，主要说的是负载电流，你的方案中转成3.3V以后，后面需要连接多大的负载。

比如一个STM32F103的最小系统，加上一些普通，是普通的！的外围电路，说大大一点几十mA 也顶天了。

除了所选择的MCU，一些普通的阻容可以不用计算得那么仔细，如果你接了的传感器，在传感器资料里面有注意事项会特意说明功耗问题，如果的低功耗的传感器，也不用那么在意。总的来说就是注意所有选择的元器件的功耗，加起来差不多大概就是你负载的功耗，但是实际上一般不会算那么仔细，注意一些特殊的大功率的器件就可以了。